半導體有多種類型，又有不同容量、速度和作用，但最廣泛使用最常見的是NAND閃存（Flash），因此針對此類芯片的任何一次進步都有可能影響到各個行業(yè)。日前，SanDisk和東芝宣布，已經完成了迄今為止全球最領先的15nm NAND閃存的研發(fā)。
一般而言，提到半導體器件的制造工藝多數(shù)都會涉及晶片上集成的晶體管之間的連線寬度。更小的連線寬度可以在不增加芯片體積的情況下，集成更多的晶體管，使芯片的功能得到大幅擴展和提升。而且連線寬度越小，晶體管的極限工作能力提升幅度越大，意味著先進的制造工藝將帶來更出色的性能，同時能效越高。
毫無疑問，SanDisk和東芝將NAND閃存研發(fā)帶到了全新的里程碑，勢必在全球行業(yè)內造成重大影響，因為15nm的NAND閃存芯片制造工藝基本上是世界上最先進的工藝。
據介紹，全球第二大NAND閃存廠商東芝將通過15nm工藝打造2bpc MLC 128Gb（16GB）顆粒。得益于更先進的工藝改進了外圍電路，其傳輸速率相比上一代19nm的模塊提高了30%。
東芝表示，自家的15nm NAND閃存模塊將會于四月底在日本三重縣四日市的Fab 5廠房開始進行量產，針對平板電腦、智能手機和筆記本電腦固態(tài)硬盤的NAND模塊將使用3bpc的顆粒。同時，SanDisk也將使用15nm生產2bpc和3bpc閃存顆粒，具體計劃在今年下半年。
目前半導體業(yè)務各大廠商都在追求新的工藝，但產能并不足以滿足供給，由于蘋果獲得了臺積電大量20nm訂單，Nvidia和AMD的新一代顯卡被迫停留在28nm工藝。另外，英特爾以及GlobalFoundries和三星合作的最新的14nm制造工藝也做好了準備，今年年底就能在市面上看到成品，但是良品率依然是這些半導體廠商的痛。
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