二線晶圓廠先進(jìn)工藝紛向一線大廠看齊 將打破工藝分水嶺局勢(shì)

近期全球二線晶圓廠紛搶進(jìn)0.13微米以下先進(jìn)工藝，包括馬來(lái)西亞晶圓代工廠Silterra、以色列晶圓廠寶塔半導(dǎo)體(Tower Semiconductor)分別宣布 ，計(jì)劃以募資、借貸方式來(lái)擴(kuò)充先進(jìn)工藝產(chǎn)能，未來(lái)隨著二線晶圓廠紛跳脫成熟工藝藩籬、邁入先進(jìn)工藝，不僅恐造成先進(jìn)工藝價(jià)格雪上加霜，并將讓0.13微米、90納米工藝不再是一線晶圓廠獨(dú)霸天下，甚至得重新改寫“先進(jìn)工藝”定義。

目前90納米、0.13微米工藝由臺(tái)灣晶圓代工廠臺(tái)積電、聯(lián)電稱霸，其中，臺(tái)積電90納米、0.13微米工藝各占營(yíng)收比重達(dá)23%、26%；聯(lián)電則各占約21%、16%。臺(tái)積電、聯(lián)電2家可說(shuō)在90納米、0.13微米工藝各霸一方，而這2個(gè)世代先進(jìn)工藝亦可說(shuō)是一線與二線晶圓廠之間主要技術(shù)分水嶺，過(guò)去二線晶圓廠多集中于0.25、0.18微米工藝及半世代0.15微米工藝，不過(guò)，這個(gè)現(xiàn)象最近卻明顯發(fā)生變化。

近期Silterra及Tower相繼宣布籌資計(jì)劃，擬擴(kuò)充0.13微米及90納米工藝產(chǎn)能。其中，先前才加入歐洲微電子研究所(IMEC)90、65納米工藝技術(shù)開發(fā)計(jì)劃的Silterra，19日又宣布為因應(yīng)先進(jìn)工藝成長(zhǎng)所需，未來(lái)幾年將分3階段擴(kuò)充產(chǎn)能，第1階段將在既有產(chǎn)能規(guī)模上擴(kuò)充0.18、0.13微米及其半世代0.11微米工藝產(chǎn)能至單月4萬(wàn)片，并將少量擴(kuò)充90納米工藝產(chǎn)能(約1000~2000片)；第二階段是積極尋找8英寸廠購(gòu)并對(duì)象；第三階段則擬自建12英寸晶圓廠，主要用來(lái)擴(kuò)充90、65納米先進(jìn)工藝所需，初期單月產(chǎn)能約2萬(wàn)~2.5萬(wàn)片。

半導(dǎo)體業(yè)者透露，Silterra這項(xiàng)擴(kuò)產(chǎn)計(jì)畫需對(duì)外募資15億~20億美元，將以現(xiàn)有股東及對(duì)外募資雙線并行，目前馬來(lái)西亞官方投資公司Khazanah持有Silterra逾9成股分。Silterra執(zhí)行長(zhǎng)Kah Yee Eg則表示，透過(guò)這項(xiàng)擴(kuò)充產(chǎn)能計(jì)劃，未來(lái)4~5年Silterra營(yíng)收將可望呈現(xiàn)每2年倍數(shù)成長(zhǎng)趨勢(shì)，總產(chǎn)能亦將達(dá)到單月10萬(wàn)~12萬(wàn)片8英寸約當(dāng)晶圓，工藝光譜則從0.18微米工藝跨至65納米工藝。

無(wú)獨(dú)有偶地，Tower亦宣布與銀行簽訂4000萬(wàn)美元長(zhǎng)期借貸，用來(lái)擴(kuò)充Fab 2產(chǎn)能。Tower執(zhí)行長(zhǎng)Russell Ellwanger表示，由于Fab 2持續(xù)產(chǎn)能利用率超過(guò)90%，亟思擴(kuò)充產(chǎn)能，將Fab 2單月產(chǎn)能一舉提升至超越2.4萬(wàn)片，并計(jì)劃于2008年以后達(dá)4萬(wàn)片產(chǎn)能，其中，新增產(chǎn)能部分將以采用0.13微米與90納米工藝為主。

半導(dǎo)體業(yè)者指出，當(dāng)初90納米工藝量產(chǎn)時(shí)，市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)比起0.13微米工藝激烈，而65納米工藝又比起90納米工藝競(jìng)爭(zhēng)更激烈，就連臺(tái)積電總執(zhí)行長(zhǎng)蔡力行亦如此坦言，而隨著二線晶圓廠相繼宣布跨入0.13微米、90納米先進(jìn)工藝，恐更將攪亂一池春水，使得價(jià)格環(huán)境更為雪上加霜，同時(shí)以0.13微米、90納米等先進(jìn)工藝作為一、二線晶圓廠之間分水嶺，亦將逐漸消弭，甚至恐怕連“先進(jìn)工藝”定義也會(huì)被改寫。