Intel、美光25nm NAND閃存二季度開售
[導(dǎo)讀]Intel、美光合資公司Intel-Micron Flash Technologies(IMFT)宣布，25nm新工藝 NAND閃存芯片將從第二季度起開始銷售，預(yù)計(jì)今年晚些時(shí)候就可以看到相關(guān)U盤、記憶卡、固態(tài)硬盤等各種產(chǎn)品。IMFT 25nm NAND閃存于今年初宣
Intel、美光合資公司Intel-Micron Flash Technologies(IMFT)宣布，25nm新工藝 NAND閃存芯片將從第二季度起開始銷售，預(yù)計(jì)今年晚些時(shí)候就可以看到相關(guān)U盤、記憶卡、固態(tài)硬盤等各種產(chǎn)品。
IMFT 25nm NAND閃存于今年初宣布投產(chǎn)，這也是該領(lǐng)域的制造工藝首次進(jìn)軍到30nm之下，并應(yīng)用了沉浸式光刻技術(shù)。新閃存內(nèi)核面積167平方毫米，每單位容量 2bit，總?cè)萘?GB，相比現(xiàn)有的34nm工藝閃存容量翻了一番，內(nèi)核面積卻小了十分之一。
Intel NAND閃存業(yè)務(wù)市場經(jīng)理Troy Winslow打了個(gè)比方：新閃存以不超過CD光盤中間孔的大小存儲(chǔ)了十倍于光盤容量的數(shù)據(jù)。
對(duì)于目前閃存設(shè)備容量偏小、使用壽命有限的問題，美光NAND閃存業(yè)務(wù)市場經(jīng)理Kevin Kilbuck聲稱，他們將在幾個(gè)月內(nèi)發(fā)布新型固態(tài)硬盤，初步解決這些問題。
三星宣布將在今年第二季度投產(chǎn)27nm NAND閃存，海力士也已經(jīng)宣布了26nm NAND閃存，不過Troy Winslow表示：“我們相信Intel、美光的領(lǐng)先優(yōu)勢(shì)即使沒有9-12個(gè)月，也有5個(gè)月。”
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