Microsemi發(fā)布65nm工藝基于FLASH的FPGA平臺(tái)

美高森美公司(Microsemi Corporation)宣布，旗下SoC產(chǎn)品部門(原為愛特公司Actel Corporation)發(fā)布全新65nm嵌入式快閃平臺(tái)，以用于構(gòu)建公司下一代基于快閃的可定制系統(tǒng)級(jí)芯片(system-on-chip, SoC)。

美高森美的低功耗智能混合信號(hào)和系統(tǒng)關(guān)鍵系列SoC具有四輸入查找表(look up table, LUT)架構(gòu)，將會(huì)集中使用現(xiàn)代化的65nm嵌入式快閃工藝。相比前一代產(chǎn)品，器件密度能夠提高一個(gè)數(shù)量級(jí)，性能則提升一倍。如下圖所示，新平臺(tái)能夠降低動(dòng)態(tài)功耗65%。

圖：65nm平臺(tái)功耗較現(xiàn)有產(chǎn)品顯著降低

據(jù)Microsemi SoC產(chǎn)品部市場(chǎng)推廣及銷售高級(jí)副總裁Jay Legenhausen先生介紹。新平臺(tái)動(dòng)態(tài)功耗的降低主要得益于制程工藝的進(jìn)步，F(xiàn)lash*Freeze特性靜態(tài)電流也顯著降低。新平臺(tái)的整體功耗在整個(gè)密度范圍內(nèi)都很穩(wěn)定，保持了在低功耗領(lǐng)域的領(lǐng)導(dǎo)地位。未來(lái)的器件將備有行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)總線接口，并集成增強(qiáng)的知識(shí)產(chǎn)權(quán)部件如嵌入式微處理器內(nèi)核、DSP模塊、高速收發(fā)器、存儲(chǔ)器接口、非易失性閃存和可編程模擬部件。

美高森美SoC產(chǎn)品部市場(chǎng)推廣及銷售高級(jí)副總裁Jay Legenhausen稱：“在現(xiàn)今的設(shè)計(jì)中，對(duì)低功耗、固件錯(cuò)誤免疫力、安全性和高集成度需求是絕對(duì)不能妥協(xié)的。通過轉(zhuǎn)向65nm工藝，我們能夠提高產(chǎn)品密度并改善功耗特性和性能，從而瞄準(zhǔn)范圍大幅擴(kuò)大的工業(yè)、醫(yī)療、軍事/航天、航空、通信和消費(fèi)產(chǎn)品市場(chǎng)。”

美高森美和臺(tái)灣聯(lián)華電子公司(UMC)是首批推出65nm嵌入式快閃工藝的企業(yè)，公司內(nèi)部業(yè)已完成首個(gè)商業(yè)化硅器件。美高森美系統(tǒng)級(jí)芯片產(chǎn)品部門正針對(duì)商業(yè)和工業(yè)市場(chǎng)的先期采納廠商推出客戶導(dǎo)引計(jì)劃，使這些廠商能夠及早將新興技術(shù)用于其下一代設(shè)計(jì)。