[導讀]《日本經(jīng)濟新聞》日前報導，日本 Renesas Electronics(瑞薩電子) 和臺積電，將加入一個由日本主導、從事新世代芯片制程技術開發(fā)的國際聯(lián)盟。該聯(lián)盟預計這個月開始研發(fā) EUV (超紫外光) 微影技術，目標在 2015 年底前結
《日本經(jīng)濟新聞》日前報導，日本 Renesas Electronics(瑞薩電子) 和臺積電，將加入一個由日本主導、從事新世代芯片制程技術開發(fā)的國際聯(lián)盟。該聯(lián)盟預計這個月開始研發(fā) EUV (超紫外光) 微影技術，目標在 2015 年底前結束。企業(yè)成員將運用這項技術增進自家產(chǎn)品的表現(xiàn)，如閃存和系統(tǒng)芯片等。
此外，全球市占具一定份量的日本半導體材料業(yè)者，包括 Asahi Glass Co.(5201-JP)、Shin-Etsu Chemical Co.、Hoya Corp.、Fujifilm Holdings Corp. 與 Nissan Chemical Industries Ltd. 等，也將加入該聯(lián)盟。聯(lián)盟成員將派遣約 40 名工程師，在日本茨城縣的一座研發(fā)中心進行合作。
荷蘭 ASML Holding NV 計劃在 2012 年推出 EUV 微影設備，日本在設備和材料的開發(fā)上已居于落后。該聯(lián)盟的目標，是發(fā)展出電路寬度 20 奈米以下的芯片制程技術。東芝 (6502-JP) 未來 3-5 年需以 EUV 微影技術來生產(chǎn)快閃記憶芯片，但顧慮自行研發(fā)成本太高，遂號召材料廠及外國芯片業(yè)者組成聯(lián)盟，并找來日本經(jīng)產(chǎn)省支持。
瑞薩為了降低成本，已打算將線寬28 奈米或以下的所有芯片生產(chǎn)外包，加入聯(lián)盟的主因則是要了解技術。
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