ProPlus首創(chuàng)整合式NanoYield 填補EDA界過往缺憾
半導體制程技術持續(xù)精進,隨之而來的制程偏移(ProcessVariation)及小尺寸效應,恐導致設計結果的不確定性,因此如何建立完善的統(tǒng)計模型(StatisticalModel),同時在ICDesign的階段能夠正確地應用統(tǒng)計模型,并且可以進行快速準確的良率分析,有效避免電路性能與良率(Yield)遭受影響,可謂當前重大課題。
回顧2012年6月落幕的DesignAutomationConference(DAC)2012大會,個中最大亮點,無疑正是ProPlus領先EDA業(yè)界推出的「整合良率導向設計(DesignforYield;DFY)」解決方案-NanoYield;時值晶圓制造或芯片設計業(yè)者,皆為制程偏移及后續(xù)良率問題不堪其擾之際,此一革命性方案的問世,自然意義重大。
說起ProPlus,半導體業(yè)界其實不陌生,只因該公司是極少數聚焦組件模型(DeviceModeling)開發(fā)的EDA供貨商,其縱橫市場長達18年的BSIMProPlus,一直享有頗高占有率。然近年來半導體制程節(jié)點不斷演進,電路設計的復雜度與規(guī)模愈來愈大,芯片設計者對電路仿真與驗證的要求愈趨嚴苛,ProPlus為協(xié)助客戶因應此一巨大挑戰(zhàn),于是植基于IBM授權之HighSigmaPro(HS-Pro)專利技術,催生NanoYield平臺。
性能與精度向來難以兼得
ProPlus董事長劉志宏指出,執(zhí)行電路統(tǒng)計分析最大挑戰(zhàn),乃在于速度與精度的彼此矛盾性,意欲追求高準確度,即意謂變異性分析(VariationAnalysis)必須徹底到位,少不得需要極高的模擬驗證次數,當然得配合龐大采樣,勢必拖累芯片設計效率。
如果講究性能,唯有降低電路分析規(guī)模,僅針對部分重點進行采樣與驗證;憑借化繁為簡的做法,在以往次微米晶圓時代或許行得通,惟如今已然進入深次奈米世代,如此掛萬漏一,絕對無法有效應付制程偏移的變因。
「性能與精度之間有無平衡點?理論上是有的,即是蒙地卡羅(MonteCarlo)分析法,」劉志宏說,只可惜此項算法亦有局限性,因應3σ較高誤差率,MonteCarlo勉強可完成所需采樣,但作業(yè)時程甚為冗長,若是諸如SRAM等具備大規(guī)模重復結構的電路,往往亟需搭配更精細的6σ驗證,動輒數百萬、數千萬甚至上億次的模擬,則明顯逾越MonteCarlo的能力范圍。
在此情況下,迫使電路設計者放棄采用MonteCarlo,有的選擇將寬限范圍極大化,力求囊括所有制程偏移變因,但卻可能因「OverDesign」導致芯片成本飆高,亦使作業(yè)效能為之延宕;有的則依循上述簡化分析之做法,只憑經驗執(zhí)行片段式的模擬驗證。過猶不及,不免都失之偏頗。
HS-Pro技術加持巧妙填補過往缺憾
「拜HS-Pro技術所賜,使得過去可能得耗時一年執(zhí)行的高良率分析,如今僅需短短數小時甚至幾十分鐘即可望完成!」劉志宏推崇技術合作伙伴IBM,早已透過其多年的芯片設計與制造過程,歷經不計其數的Correlation采樣與驗證,從而匯聚龐大且值得信賴的數據,支撐HS-Pro技術理論之可行性,確定可在相同精度的前提下,大幅縮減MonteCarlo采樣次數,致使從前滯礙難行的High-Sigma分析,終于獲得實現。
至于諸如3σ等Low-Sigma分析需求,NanoYield平臺則提供MonteCarloPro(MC-Pro)技術加以因應;相較于傳統(tǒng)MonteCarlo,MC-Pro可發(fā)揮十余倍、甚至上百倍的速度提升效果,從而強化統(tǒng)計模擬效率,對于常規(guī)型電路的良率預測與設計優(yōu)化,可望產生顯著貢獻。
劉志宏指出,隨著制程演進、Time-to-Market壓力驟增,無論對于晶圓廠的設計服務部門、芯片設計業(yè)者,都企盼能在時效、良率的天平兩端之間,爭取更大的運作空間;所以這群用戶不再追求「標榜100%良率」的統(tǒng)計模擬工具,而期望藉由工具迅速知悉「割舍多少良率、可提升多少性能」、或「犧牲多少速度、可提高多少良率」等結果,以作為關鍵決策的參考依據,此即為NanoYield平臺擅長之處。
另值得一提的,綜觀NanoYield平臺結構,內嵌ProPlus最新打造的NanoSpice仿真引擎,使得用戶在執(zhí)行DFY統(tǒng)計分析的同時,不需額外斥資授權SPICE工具,即可一并滿足SPICE仿真驗證之功能需求,讓NanoYield坐實了「整合式」解決方案的利基,蘊含一般DFY軟件罕見的高性價比特質。
此外,用戶亦可受惠于ProPlus所提供的另一項技術PVT-Pro,在狹小電路空間內精準執(zhí)行制程/電壓/溫度的邊界模型分析,快速找出失效點,以利及早修正問題;如此一來,電路設計者一向苦惱的難題,包括數據分析、發(fā)掘問題、解決問題等各階段處理程序之曠日費時,皆可望迎刃而解。