Mentor設(shè)計(jì)和驗(yàn)證工具獲得TSMC 16nm FinFET生產(chǎn)認(rèn)證
Mentor Graphics公司宣布,其集成電路設(shè)計(jì)到制造的整套解決方案已獲得TSMC 16nm FinFET工藝的設(shè)計(jì)規(guī)則手冊(DRM)和1.0版本SPICE模型認(rèn)證。 該認(rèn)證包括的工具有Calibre物理驗(yàn)證及可制造性設(shè)計(jì)(DFM)平臺、Olympus-SoC自動(dòng)布局布線系統(tǒng)、Pyxis定制集成電路設(shè)計(jì)平臺以及Eldo SPICE模擬器。通過使用Olympus-SoC、Calibre產(chǎn)品以實(shí)現(xiàn)ARM Cortex-A15 MPCore處理器,Mentor還成功展示了完整的16nm FinFET數(shù)字設(shè)計(jì)流程。隨著客戶從測試芯片過渡到16nm FinFET設(shè)計(jì)成果的批量生產(chǎn),Mentor的16nm解決方案現(xiàn)已能為客戶提供全面支持。
Olympus-SoC自動(dòng)布局布線系統(tǒng)使高效設(shè)計(jì)成為可能,它完整支持所有16nm FinFET的雙重曝光(DP)、DRC及DFM規(guī)則、宏單元和標(biāo)準(zhǔn)單元的鰭式柵格對齊以及Vt最小面積規(guī)則支持。 新流程還支持低電壓保持時(shí)間修正,互連電阻最小化,信號EM修正和MiM電容提取,以解決時(shí)序影響,增加管腳的可訪問性及可布線性。
Calibre nmDRC平臺支持設(shè)計(jì)團(tuán)隊(duì),以確保他們的設(shè)計(jì)滿足工藝要求。Calibre YieldEnhancer之中的SmartFill功能以及其他的Mentor DFM產(chǎn)品、Calibre LFD和Calibre CMPAnalyzer已獲得改進(jìn),以滿足16FF冗余填充、光刻和CMP模擬的TSMC特定要求。
TSMC為Mentor提供了16nm產(chǎn)品的設(shè)計(jì)工具包,以基于Calibre PERC產(chǎn)品進(jìn)行可靠性檢查。這使客戶能夠在不考慮IP資源和使用同一個(gè)平臺的情況下分析和修復(fù)如靜電釋放(ESD)和閂鎖(LUP)等問題。
為確保對FinFET器件進(jìn)行準(zhǔn)確的電路仿真,Mentor通過與TSMC進(jìn)行協(xié)作,對高性能的Calibre xACT 2.5D、3D提取產(chǎn)品以及Calibre nmLVS的FinFET器件模型予以改進(jìn)和認(rèn)證。
Pyxis定制集成電路設(shè)計(jì)平臺已擴(kuò)展至可以處理鰭式柵格,提供鰭式柵格顯示,支持保護(hù)環(huán),MOS接合規(guī)則和設(shè)計(jì)規(guī)則驅(qū)動(dòng)(DRD)布局。對Eldo進(jìn)行升級,以基于TSMC最新型的BSIM-CMG和TMI模型提供準(zhǔn)確的FinFET器件和電路級建模。
Mentor Graphics公司硅片設(shè)計(jì)事業(yè)部(Design to Silicon division)副總裁兼總經(jīng)理Joseph Sawicki表示:“我們通過與TSMC的密切合作,確保我們的工具可用于16nm FinFET技術(shù),其中包括與TSMC一同持續(xù)優(yōu)化Calibre設(shè)計(jì)規(guī)則文件,以縮短開發(fā)周期。經(jīng)過共同開發(fā)設(shè)計(jì)出可以滿足16nm FinFET技術(shù)要求的產(chǎn)品,我們將學(xué)習(xí)曲線降至最低限度,并讓設(shè)計(jì)師利用TSMC的協(xié)作來創(chuàng)造其產(chǎn)品的差異化價(jià)值。”
TSMC設(shè)計(jì)建構(gòu)營銷部(Design Infrastructure Marketing Division)資深總監(jiān)Suk Lee表示:“TSMC和Mentor之間長久的合作關(guān)系可以滿足我們16nm FinFET的設(shè)計(jì)需求,同時(shí),針對積極的技術(shù)路線圖持續(xù)發(fā)布即時(shí)的產(chǎn)品解決方案。在每一個(gè)新的節(jié)點(diǎn)上,我們再次得以證明,開放式創(chuàng)新平臺中的生態(tài)系統(tǒng)協(xié)作是驅(qū)動(dòng)半導(dǎo)體設(shè)計(jì)產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新的關(guān)鍵所在。”