臺(tái)積電720億元研發(fā)資金將用于10nm、7nm先進(jìn)制程開發(fā)

臺(tái)積電深耕臺(tái)灣，透過增加研發(fā)支出與持續(xù)征才、擴(kuò)大研發(fā)團(tuán)隊(duì)編制等方式多管齊下，今年研發(fā)支出與研發(fā)大軍總數(shù)都將創(chuàng)新高，目標(biāo)明年在7奈米關(guān)鍵戰(zhàn)役中勝出，為奪下全球半導(dǎo)體霸主的目標(biāo)全力沖刺。

臺(tái)積電本周四(14日)將舉行法說會(huì)，臺(tái)積電表示，相關(guān)人才招募行動(dòng)已趁近期畢業(yè)生投入職場(chǎng)，積極進(jìn)行中;董事長(zhǎng)張忠謀也將于法說會(huì)中，針對(duì)研發(fā)支出及先進(jìn)制程挑戰(zhàn)目標(biāo)，提出更詳細(xì)說明。

臺(tái)積電研發(fā)支出占年度營(yíng)收約8%，以去年?duì)I收8，434.97億元，公司釋出今年挑戰(zhàn)年增5%至10%的目標(biāo)估算，今年?duì)I收將突破9，000億元，換算今年度研發(fā)支出將逾720億元，遠(yuǎn)超越去年的655億元，更是七年前的六倍之多。

臺(tái)積電今年研發(fā)支出將逾720億元，不僅再次刷新公司歷年紀(jì)錄，也將連續(xù)四年蟬聯(lián)臺(tái)灣制造業(yè)研發(fā)投資之冠。據(jù)悉，臺(tái)積電今年研發(fā)支出，主要用來(lái)擴(kuò)大10奈米及7奈米先進(jìn)制程研發(fā)。

為強(qiáng)化先進(jìn)制程競(jìng)爭(zhēng)力，臺(tái)積電不排除上修明年研發(fā)支出至占總營(yíng)收的9%，以臺(tái)積電明年?duì)I收可望突破兆元的基礎(chǔ)估算，明年研發(fā)支出可能推升至900億元，將是推動(dòng)臺(tái)灣經(jīng)濟(jì)成長(zhǎng)的重要領(lǐng)頭羊，也凸顯臺(tái)積電的研發(fā)和制造重心仍會(huì)根留臺(tái)灣。

臺(tái)積電今年也將在臺(tái)召募約3，000名新血，將技術(shù)和制程研發(fā)大軍推升至近萬(wàn)人的團(tuán)隊(duì)。臺(tái)積電目前集團(tuán)員工總數(shù)已達(dá)4.5萬(wàn)人，研發(fā)大軍為5，140人，公司持續(xù)擴(kuò)大招募人才，預(yù)定今年合計(jì)先進(jìn)技術(shù)和制程研發(fā)人才將擴(kuò)增至近萬(wàn)人。