“英特爾精尖制造日”展示10納米制程、FPGA技術(shù)進(jìn)展及業(yè)內(nèi)首款面向數(shù)據(jù)中心的64層 3D NAND產(chǎn)品
“英特爾精尖制造日”活動(dòng)近日舉行,展示了英特爾制程工藝的多項(xiàng)重要進(jìn)展,包括:英特爾10納米制程功耗和性能的最新細(xì)節(jié),英特爾首款10納米FPGA的計(jì)劃,并宣布了業(yè)內(nèi)首款面向數(shù)據(jù)中心應(yīng)用的64層3D NAND產(chǎn)品已實(shí)現(xiàn)商用并出貨。
“英特爾遵循摩爾定律,持續(xù)向前推進(jìn)制程工藝,每一代都會(huì)帶來(lái)更強(qiáng)的功能和性能、更高的能效、更低的晶體管成本,”英特爾公司執(zhí)行副總裁兼制造、運(yùn)營(yíng)與銷(xiāo)售集團(tuán)總裁Stacy Smith表示,“很高興首次在中國(guó)與大家分享英特爾制程工藝路線圖中的多項(xiàng)重要進(jìn)展,展現(xiàn)了我們持續(xù)推動(dòng)摩爾定律向前發(fā)展所獲得的豐碩成果。”
圖注:英特爾公司全球副總裁兼中國(guó)區(qū)總裁楊旭歡迎來(lái)自合作伙伴、客戶、政府部門(mén)和學(xué)術(shù)界的嘉賓以及新聞媒體出席2017年9月19日在北京舉行的“英特爾精尖制造日”活動(dòng)。此次活動(dòng)著眼于快速發(fā)展的中國(guó)技術(shù)生態(tài)系統(tǒng),重申英特爾與中國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)共成長(zhǎng)的承諾。英特爾在中國(guó)深耕32年,打造了世界級(jí)的晶圓制造和封裝測(cè)試工廠,自2004年以來(lái)在華協(xié)議總投入達(dá)130億美元。
Stacy Smith進(jìn)一步表示,英特爾推動(dòng)摩爾定律向前發(fā)展的能力—— 每一年都持續(xù)降低產(chǎn)品價(jià)格并提升其性能 —— 是英特爾的核心競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)。英特爾一直以來(lái)都是并將繼續(xù)成為推動(dòng)摩爾定律向前發(fā)展的技術(shù)領(lǐng)導(dǎo)者,目前英特爾在制程工藝上保持著大約三年的領(lǐng)先性。
圖注:英特爾公司執(zhí)行副總裁兼制造、運(yùn)營(yíng)與銷(xiāo)售集團(tuán)總裁Stacy Smith全球首次展示“Cannon Lake”10納米晶圓,采用超微縮技術(shù),擁有世界上最密集的晶體管和最小的金屬間距,從而實(shí)現(xiàn)了業(yè)內(nèi)最高的晶體管密度。
披露10納米制程的功耗和性能最新進(jìn)展
英特爾高級(jí)院士馬博(Mark Bohr)介紹了英特爾10納米制程工藝的最新細(xì)節(jié),展現(xiàn)了英特爾的技術(shù)領(lǐng)先性。在晶體管密度和晶體管性能方面,英特爾10納米均領(lǐng)先其他競(jìng)爭(zhēng)友商“10納米”整整一代。通過(guò)采用超微縮技術(shù)(hyper scaling),英特爾10納米制程工藝擁有世界上最密集的晶體管和最小的金屬間距,從而實(shí)現(xiàn)了業(yè)內(nèi)最高的晶體管密度。超微縮指的是英特爾在14納米和10納米制程節(jié)點(diǎn)上提升2.7倍晶體管密度的技術(shù)。在此次“英特爾精尖制造日”活動(dòng)上,英特爾“Cannon Lake”10納米晶圓全球首次公開(kāi)亮相。
馬博還演示了他提出的晶體管密度計(jì)算公式,用以規(guī)范晶體管密度的通用衡量標(biāo)準(zhǔn),以此厘清當(dāng)前業(yè)內(nèi)制程節(jié)點(diǎn)命名亂象,這也是英特爾不懈的堅(jiān)持和努力,將有助于更加容易地比較不同廠商之間的技術(shù)。
介紹22FFL的功耗和性能最新進(jìn)展
馬博同時(shí)介紹了英特爾22FFL功耗和性能的最新細(xì)節(jié)。22FFL是在2017年3月美國(guó)“英特爾精尖制造日”活動(dòng)上首次宣布的一種面向移動(dòng)應(yīng)用的超低功耗FinFET技術(shù)。英特爾22FFL可帶來(lái)一流的CPU性能,實(shí)現(xiàn)超過(guò)2GHz的主頻以及漏電降低100倍以上的超低功耗。此外,22FFL晶圓在本次活動(dòng)上全球首次公開(kāi)亮相。
揭曉10納米FPGA產(chǎn)品計(jì)劃
在本次活動(dòng)上,英特爾公布了采用英特爾10納米制程工藝和晶圓代工平臺(tái)的下一代FPGA計(jì)劃。研發(fā)代號(hào)為“Falcon Mesa”的FPGA產(chǎn)品將帶來(lái)全新水平的性能,以支持?jǐn)?shù)據(jù)中心、企業(yè)級(jí)和網(wǎng)絡(luò)環(huán)境中日益增長(zhǎng)的帶寬需求。
英特爾和Arm在10納米制程合作方面取得重大進(jìn)展
在2016年8月于舊金山舉行的英特爾信息技術(shù)峰會(huì)(IDF)上,英特爾晶圓代工宣布與Arm達(dá)成協(xié)議,雙方將加速基于英特爾10納米制程的Arm系統(tǒng)芯片開(kāi)發(fā)和應(yīng)用。作為這一合作的結(jié)晶,今天的“英特爾精尖制造日”全球首次展示了Arm Cortex-A75 CPU內(nèi)核的10納米測(cè)試芯片晶圓。這款芯片采用行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)設(shè)計(jì)流程,可實(shí)現(xiàn)超過(guò)3GHz的性能。
圖注:Arm總經(jīng)理、副總裁兼合伙人Gus Yeung全球首次展示了一款A(yù)rm Cortex-A75 CPU內(nèi)核的10納米測(cè)試芯片。這款芯片采用行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)設(shè)計(jì)流程,可實(shí)現(xiàn)超過(guò)3.3GHz的性能。
發(fā)布業(yè)內(nèi)首款面向數(shù)據(jù)中心的64層TLC 3D NAND固態(tài)盤(pán)
英特爾還宣布了業(yè)內(nèi)首款面向數(shù)據(jù)中心的64層、三級(jí)單元(TLC)3D NAND固態(tài)盤(pán)產(chǎn)品已正式出貨。該產(chǎn)品自2017年8月初便開(kāi)始向部分頂級(jí)云服務(wù)提供商發(fā)貨,旨在幫助客戶大幅提升存儲(chǔ)效率。在存儲(chǔ)領(lǐng)域30年的專(zhuān)業(yè)積淀,使得英特爾可以推出優(yōu)化的3D NAND浮柵架構(gòu)和制造工藝。英特爾的制程領(lǐng)先性,使其能夠快速把2017年6月推出的64層TLC固態(tài)盤(pán)產(chǎn)品組合,迅速?gòu)目蛻舳水a(chǎn)品擴(kuò)展到今天的數(shù)據(jù)中心固態(tài)盤(pán)產(chǎn)品。到2017年年底,該產(chǎn)品將在更大范圍內(nèi)上市。