美公司推出全球首款新型氮化鎵晶圓 可制造軍用設(shè)備

據(jù)中國國防科技信息網(wǎng)報道，美國射頻微系統(tǒng)公司(RFMD)日前推出世界首個用于制造射頻功率晶體管的碳化硅基氮化鎵晶圓，以滿足軍用和商用需求。該公司實現(xiàn)了從現(xiàn)有高產(chǎn)量、6寸砷化鎵晶圓生產(chǎn)向6寸氮化鎵晶圓生產(chǎn)和研發(fā)的轉(zhuǎn)變，以降低成本滿足不斷增長的氮化鎵器件市場需求。

RFMD公司總裁兼首席執(zhí)行官鮑勃稱：“我們很高興在RFMD公司的現(xiàn)有高產(chǎn)量6寸砷化鎵生產(chǎn)線上推出業(yè)界首款6寸碳化硅基氮化鎵射頻技術(shù)。氮化鎵器件和砷化鎵器件在制造上的合并是我們“砷化鎵中氮化鎵代工廠”策略的一部分，以使現(xiàn)存生產(chǎn)能力通過制造創(chuàng)新型氮化鎵基產(chǎn)品抓住增長機(jī)會。”

根據(jù)行業(yè)分析公司--策略數(shù)據(jù)公司的數(shù)據(jù)，2017年氮化鎵微電子市場將是現(xiàn)在的三倍，達(dá)到3.34億美元，年復(fù)合增長率(CAGR)達(dá)到28%。該市場由軍用(雷達(dá)、電子戰(zhàn)、通信)和商用(電源管理、蜂窩通信、有限電視、移動式無線電通信)共同推動。

RFMD公司功率寬帶部門副總裁杰夫博士稱：“利用我們在6寸砷化鎵制造技術(shù)的領(lǐng)先地位和高產(chǎn)量的專業(yè)知識，RFMD公司有能力增加6寸氮化鎵制造能力，來推出新的射頻功率產(chǎn)品，以此加速我們在通信、有線電視、能量轉(zhuǎn)換、雷達(dá)、干擾、宇航和代工業(yè)務(wù)中的利潤增長。”

氮化鎵技術(shù)可在有限芯片體積內(nèi)支持寬頻帶和高擊穿電壓。6寸氮化鎵晶圓所能提供的有效面積是4寸氮化鎵晶圓的2.5倍，因此每個晶圓所產(chǎn)出的射頻功率器件數(shù)也增加2.5倍。晶圓面積越大，由此帶來的每個芯片成本更低，是為軍用和商用提供廉價、高性能單片毫米波集成電路(MMIC)的關(guān)鍵。RFMD公司預(yù)計在2014年將完成對6寸氮化鎵平臺的驗證。