中微公司將發(fā)布新一代等離子刻蝕設(shè)備

今年IC China(一年一度在上海舉辦的業(yè)內(nèi)知名半導(dǎo)體展會(huì)和論壇)展會(huì)期間，先進(jìn)的設(shè)備制造商 -- 中微半導(dǎo)體設(shè)備(上海)有限公司(以下簡(jiǎn)稱“中微公司”)，將于本周三在上海世博展覽館，就其設(shè)計(jì)創(chuàng)新、技術(shù)領(lǐng)先的新一代刻蝕設(shè)備產(chǎn)品舉辦新聞發(fā)布會(huì)。屆時(shí)，中微公司董事長(zhǎng)兼首席執(zhí)行官尹志堯博士將介紹公司產(chǎn)品開發(fā)的最新進(jìn)展;中微公司資深技術(shù)專家將在會(huì)上介紹公司研發(fā)部門開發(fā)成功的兩款新一代刻蝕設(shè)備。

新設(shè)備中的第一款是Primo SSC AD-RIE(“單反應(yīng)器甚高頻去耦合反應(yīng)離子介質(zhì)刻蝕機(jī)”)，可應(yīng)用于最先進(jìn)的存儲(chǔ)芯片和邏輯芯片的加工生產(chǎn)，包括2x納米及1x納米代高深寬比接觸孔刻蝕、溝槽及接觸孔刻蝕、串行刻蝕(在單反應(yīng)器中實(shí)現(xiàn)多步操作)。Primo SSC AD-RIE擁有獨(dú)特的創(chuàng)新設(shè)計(jì)，能夠在工藝控制方面實(shí)現(xiàn)前所未有的靈活性，并能幫助芯片生產(chǎn)商在確保芯片加工質(zhì)量的同時(shí)達(dá)到更高的產(chǎn)出效率。

另一款，12英寸硅通孔刻蝕設(shè)備Primo TSV300E(R)，拓展了原有的8英寸硅刻蝕產(chǎn)品Primo TSV200E(R)的能力，可用于多種硅深孔及深槽刻蝕。公司的8英寸硅通孔刻蝕設(shè)備Primo TSV200E(R)獲得業(yè)界認(rèn)可，已被亞洲眾多客戶用于先進(jìn)系統(tǒng)封裝、2.5維封裝和微機(jī)電系統(tǒng)芯片的生產(chǎn)。中微第一臺(tái)Primo TSV300E(R)設(shè)備已在國內(nèi)領(lǐng)先的晶圓封裝廠運(yùn)轉(zhuǎn)。

這兩種設(shè)備強(qiáng)化了中微公司產(chǎn)品布局，為全球芯片生產(chǎn)商應(yīng)對(duì)半導(dǎo)體工藝的挑戰(zhàn)提供了更多、更新、更好的解決方案。

中微公司董事長(zhǎng)兼首席執(zhí)行官尹志堯認(rèn)為，IC China是一個(gè)極有價(jià)值的平臺(tái)，非常適合新技術(shù)產(chǎn)品發(fā)布。他表示：“作為中國起步最早的半導(dǎo)體展會(huì)，IC China對(duì)國內(nèi)外的技術(shù)專家和企業(yè)領(lǐng)導(dǎo)人具有極大的吸引力，同時(shí)為半導(dǎo)體制造前沿技術(shù)的深入討論提供了平臺(tái)。我們很高興能在這次展會(huì)上發(fā)布中微新一代刻蝕設(shè)備。這些設(shè)備都具有領(lǐng)先的獨(dú)特創(chuàng)新，能夠解決隨著技術(shù)進(jìn)步和材料深度整合出現(xiàn)的新的技術(shù)障礙。這些設(shè)備也能為芯片生產(chǎn)商帶來顯著的成本競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)，創(chuàng)造更多價(jià)值。”

Primo SSC AD-RIE具有卓越的工藝控制靈活性，帶來更高產(chǎn)能及更佳芯片加工結(jié)果

Primo SSC AD-RIE是中微公司最新的介質(zhì)刻蝕設(shè)備。它在中微和國際領(lǐng)先的半導(dǎo)體芯片制造商的合作中開發(fā)而成，能夠?qū)崿F(xiàn)超高產(chǎn)能、最好的芯片加工質(zhì)量和芯片刻蝕技術(shù)可延展性等嚴(yán)苛的技術(shù)目標(biāo)。該設(shè)備的晶圓傳遞平臺(tái)可配置多達(dá)6個(gè)單芯片加工反應(yīng)器，每個(gè)反應(yīng)器可以獨(dú)立地優(yōu)化加工條件，以實(shí)現(xiàn)不同工藝控制的靈活性。每個(gè)反應(yīng)器的分子泵有極高的抽速，對(duì)包括壓力、流量、射頻功率以及溫度在內(nèi)的重要參數(shù)有很好的調(diào)節(jié)作用，而并行工藝精確控制能實(shí)現(xiàn)反應(yīng)器之間的良好匹配度。更佳的反應(yīng)器之間匹配能夠提高刻蝕的重復(fù)性，從而提高生產(chǎn)效率。

采用Primo SSC AD-RIE，客戶可以得到更先進(jìn)的工藝、卓越的芯片加工性能、技術(shù)可延展性和成本競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)。

Primo SSC AD-RIE特點(diǎn)和優(yōu)勢(shì)

-- 超高速渦輪分子泵和大抽氣通道，可以產(chǎn)生高流量、低壓力，有利于高深寬比(HAR)刻蝕;

-- 極高功率的低頻射頻偏壓電源。7kW 2MHz偏壓功率可以提供更高的離子能量，結(jié)合可以選配的脈沖射頻功率電源一起，可以提高在高深寬比(HAR)刻蝕中各向異性刻蝕的性能;

-- 配備較大的射頻接地面積、產(chǎn)生更高的直流偏壓，可以產(chǎn)生更高的離子能量和更佳的刻蝕方向性;

-- 雙區(qū)控溫的靜電吸盤配有雙區(qū)溫控設(shè)備，可以提高溫度和均勻性控制，并且更有效地散熱;

-- 除三區(qū)的氣體分布系統(tǒng)(中心、邊緣和極端邊緣)和配備兩路可以獨(dú)立控制中心、邊緣和極端邊緣區(qū)域精細(xì)調(diào)整的氣體，再結(jié)合雙區(qū)控溫的靜電吸盤一起，產(chǎn)品反應(yīng)器可以實(shí)現(xiàn)關(guān)鍵尺寸均勻性的精密控制;

-- 選配的硅片邊緣工藝套件，可以提高硅片極端邊緣的刻蝕均勻性，實(shí)現(xiàn)更好的關(guān)鍵尺寸均勻性和更優(yōu)化的刻蝕剖面，提高整體硅片良率。

Primo TSV300E(R)：用于硅深孔刻蝕的先進(jìn)刻蝕設(shè)備

Primo TSV300E(R)不僅擁有前一代設(shè)備TSV200E(R)的技術(shù)創(chuàng)新點(diǎn)，還拓展了工藝范圍。具有雙反應(yīng)臺(tái)的反應(yīng)器既可以單獨(dú)加工單個(gè)晶圓片，又可以同時(shí)加工兩個(gè)晶圓片。該刻蝕設(shè)備可安裝多達(dá)6個(gè)加工反應(yīng)臺(tái)(即3個(gè)雙反應(yīng)器)，這使得芯片產(chǎn)出能力幾乎翻了一倍，并降低了加工成本，對(duì)于注重節(jié)省成本的客戶來說無疑是不二之選。

區(qū)別于Primo TSV200E(R)，Primo TSV300E(R) 配備了高效能冷卻系統(tǒng)的5kW高功率電源，可以提高工藝的調(diào)整能力，同時(shí)它還具有獨(dú)特的氣體快速切換裝置，可以使通孔刻蝕的側(cè)壁更加光滑。產(chǎn)品應(yīng)用了電感耦合等離子體源，反應(yīng)器可以用于深硅刻蝕和非博世工藝。

Primo TSV300E(R)還有一項(xiàng)重要的技術(shù)創(chuàng)新點(diǎn)，它可以和中微的Primo D-RIE(R)刻蝕設(shè)備靈活結(jié)合，混合配置出具備在同一平臺(tái)進(jìn)行等離子體刻蝕和TSV硅通孔刻蝕能力的設(shè)備。這種靈活的安排帶來了技術(shù)最優(yōu)化和成本的競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)。

Primo TSV300E(R)特點(diǎn)和優(yōu)勢(shì)

-- 配備高效能冷卻系統(tǒng)的5kW功率射頻電感耦合等離子體源功率電源，可以提高工藝的調(diào)整能力;

-- 有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的氣體分布系統(tǒng)，可以在寬廣的工藝范圍內(nèi)顯著提高刻蝕均勻性;

-- 獨(dú)特的氣體快速切換裝置，可以使通孔刻蝕的側(cè)壁更加光滑;

-- 400KHz脈沖式和連續(xù)的偏壓射頻電源，可以消除刻蝕工藝過程中產(chǎn)生的通孔形狀的畸變，同時(shí)擴(kuò)展工藝的可調(diào)性，提高設(shè)備性能的可預(yù)見性;

-- 反逆流屏蔽環(huán)可以均衡等離子體屏蔽，防止氣體反應(yīng)后反向擴(kuò)散;

-- 尺寸可變的氣體集聚環(huán)可以優(yōu)化刻蝕均勻性，同時(shí)拓寬工藝窗口和范圍。

IC China半導(dǎo)體展會(huì)和論壇將于2012年10月23日至25日在上海世博展覽館1號(hào)館舉辦，中微公司除將召開技術(shù)創(chuàng)新和領(lǐng)導(dǎo)人會(huì)議外，IC China展會(huì)期間還在B04展位設(shè)有展臺(tái)，歡迎蒞臨參觀。