近日,由科達半導體公司主導、聯(lián)合其他兩家單位共同實施的《汽車用IGBT芯片及模塊研發(fā)與產業(yè)化》項目,被財政部、工業(yè)和信息化部確定為2011年度電子信息產業(yè)發(fā)展基金項目,并獲得500萬元資金扶持。
《汽車用IGBT芯片及模塊研發(fā)與產業(yè)化》項目總投資4000多萬元,項目完成時,將達到年產10萬個汽車點火器、8萬個IGBT芯片及1萬個IGBT模塊的生產能力,對滿足汽車點火器與新能源汽車快速充電系統(tǒng)、逆變驅動系統(tǒng)所需IGBT,促進我國新型電力電子器件技術進步及產業(yè)發(fā)展,具有積極的推動作用。
科達半導體公司自成立以來,通過引進各類國際先進的技術開發(fā)和試驗測試設備,目前已經建立新型功率半導體設計中心、國內最先進的功率半導體測試實驗室、功能齊全的功率半導體器件可靠性實驗室和國內首條IGBT專用超薄晶片加工后道生產線,成為國內首家實現(xiàn)IGBT芯片量產銷售的企業(yè),處于行業(yè)領先地位。
科達半導體公司注重科技創(chuàng)新和技術研發(fā),實施的絕緣柵雙極晶體管產業(yè)化項目,獲得國家發(fā)改委電力電子產業(yè)化專項最高額度扶持1500萬元,被列為科技部火炬計劃、山東省重大建設項目;實施的1200V絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)項目,獲得科學技術部頒發(fā)的國家重點新產品證書;實施的節(jié)能汽車與新能源汽車專用IGBT芯片研發(fā)與產業(yè)化項目,被列入山東省自主創(chuàng)新成果重大轉化項目,并獲得東營市十佳科技創(chuàng)新成果獎。