Energy Micro的Cortex-M4 MCU性能受益于臺(tái)積電低漏電流技術(shù)

21ic訊 Energy Micro宣布其一直與臺(tái)積電緊密合作來(lái)驗(yàn)證臺(tái)積電的eLL(超低漏電流工藝)技術(shù)給其新一代的低功耗Cortex-M 微控制器帶來(lái)的好處。和臺(tái)積電的密切配合，使Energy Micro可以很早接觸這一最新的工業(yè)技術(shù)，從而進(jìn)一步增強(qiáng)其MCU產(chǎn)品性能。

臺(tái)積電的eLL超低漏電流工藝是其嵌入式閃存(EmbFlash)技術(shù)最新的改良版，相比之前的解決方案，該工藝帶來(lái)更低的功耗-待機(jī)電流降低50-70%，運(yùn)行電流降低30%。

Energy Micro的全球銷(xiāo)售副總裁Andreas Koller說(shuō)：“EFM32 MCU產(chǎn)品的低功耗性能使其從競(jìng)爭(zhēng)產(chǎn)品中脫穎而出。過(guò)渡到帶浮點(diǎn)單元的ARM Cortex-M4 這一32位的DSP CPU 內(nèi)核是很自然的舉動(dòng)，同時(shí)我們的低功耗Gecko技術(shù)也受益于臺(tái)積電有著最好低功耗性能的最新工藝。”

臺(tái)積電歐洲總裁Maria Marced說(shuō)：“Energy Micro的低功耗MCU產(chǎn)品有著出色的低功耗特性和產(chǎn)品性能。Gecko技術(shù)與臺(tái)積電的超低漏電流嵌入式閃存處理工藝的結(jié)合，使得Energy Micro的產(chǎn)品的功耗顯著降低，從而進(jìn)一步增強(qiáng)Energy Micro的競(jìng)爭(zhēng)地位。”