看業(yè)內(nèi)人士如何看到半導(dǎo)體行業(yè)趨勢

2019年SEMI產(chǎn)業(yè)策略研討會(Industry Strategy Symposium--ISS 2019)內(nèi)容覆蓋了從半導(dǎo)體市場、全球地緣政治概述到神經(jīng)形態(tài)和量子水平。以下是第一天主題演講、經(jīng)濟趨勢和市場展望話題演講的重要內(nèi)容。

在開幕主題演講中，英特爾的Anne Kelleher指出數(shù)據(jù)的巨大增長，F(xiàn)ab廠每天收集超過50億個傳感器數(shù)據(jù)點。Kelleher指出，挑戰(zhàn)在于將大量數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)化為有價值的信息。摩爾定律并沒有終結(jié)。計算效益的新模型仍然來自摩爾定律以及用于傳統(tǒng)、深度學(xué)習(xí)、神經(jīng)形態(tài)學(xué)和量子計算的Si/CMOS技術(shù)的進(jìn)步。

Kelleher表示，客戶希望應(yīng)用程序不斷改進(jìn)，問題在于芯片行業(yè)是否正在快速發(fā)展以滿足這些期望。她說，廣泛的供應(yīng)鏈、設(shè)備和材料創(chuàng)新，以及吸引“最優(yōu)秀”大學(xué)畢業(yè)生推動創(chuàng)新是關(guān)鍵。

在經(jīng)濟趨勢會議主題上，哈佛大學(xué)的Nicholas Burns指出，美國將在未來10年內(nèi)繼續(xù)保持世界主要大國地位，但隨著與中國、俄羅斯和印度等國家的差距繼續(xù)縮小，未來幾十年我們將看到重大轉(zhuǎn)變。

Hilltop Economics的Duncan Meldrum表示，我們正在經(jīng)歷經(jīng)濟周期的高峰期增長。他警告說，未來全球經(jīng)濟很可能繼續(xù)衰退。雖然半導(dǎo)體MSI增長將在2019年和2020年明顯放緩，但半導(dǎo)體行業(yè)在長期內(nèi)仍然健康發(fā)展。

Gartner的Bob Johnson看到了需求從消費者轉(zhuǎn)向商業(yè)應(yīng)用，具有更高的投資回報率和預(yù)算。 AI、IoT和5D是主要推動因素。他看到了半導(dǎo)體行業(yè)的結(jié)構(gòu)性變化，特別是對于memory的變化、摩爾定律的成本增加以及參與者更少。

DRAM市場表現(xiàn)出波動性，2019年NAND市場可能為負(fù)，但non-memory預(yù)計將加速，主要是因為內(nèi)容增加和價格上漲。

總體而言，Gartner預(yù)計長期來看，增長趨勢良好，復(fù)合年增長率(2017年至2022年)為5.1%，超過2011年至2016年的復(fù)合年增長率2.6%。在經(jīng)歷了2018年13.4%的強勁銷售額增長后，他預(yù)計2019年增長率為2.6%，2020年8%和2021年為負(fù)。

VLSI的Andrea Lati在他關(guān)于該行業(yè)的演講中“回歸基本面”。由于全球經(jīng)濟放緩、關(guān)稅和貿(mào)易戰(zhàn)，VLSI認(rèn)為可能會偏下行。未來的驅(qū)動力是數(shù)據(jù)經(jīng)濟、云、AI和汽車。

2019年，Memory是主要的放緩因素，模擬、功率、邏輯和其他行業(yè)仍將繼續(xù)發(fā)展。VLSI將其對2018年的半導(dǎo)體設(shè)備預(yù)測從20%(2018年1月)下調(diào)至14%(2018年12月)，但將其對2018年的銷售預(yù)測從8%上調(diào)至15%.VLSI預(yù)計2019年上半年銷售額將放緩，但下半年增加至4%以上，2019年整體將下降2.7%。半導(dǎo)體設(shè)備銷售額預(yù)計將從2018年的14%下降到2019年的-10%。

Linz Consulting的Michael Corbett，具有多年晶圓廠材料3D scaling的經(jīng)驗，認(rèn)為這是該行業(yè)的好時機。他對晶圓代工材料的前景看好是基于強勁的MSI以及由于并購，晶圓代工材料供應(yīng)商變得更大。

Rockwell Automation的Sujeet Chand在市場展望會議主題上指出，隨著越來越多的數(shù)據(jù)產(chǎn)生，問題是如何獲得所有收集數(shù)據(jù)的價值。機器學(xué)習(xí)和AI需要創(chuàng)建正確的架構(gòu)，并且大數(shù)據(jù)越來越多地被上下文/結(jié)構(gòu)化數(shù)據(jù)所取代。他希望工業(yè)4.0能夠推動代工廠變得更小、更靈活、更高效。

在技術(shù)與制造會議主題上，TEL的Aki Sekiguchi談及了共同優(yōu)化時代的流程挑戰(zhàn)。由于互連設(shè)備的大規(guī)模增長，對處理能力和存儲的需求很大，半導(dǎo)體行業(yè)將繼續(xù)擴張。他預(yù)計數(shù)據(jù)將從2018年的約40ZB迅猛增長到2020年的50ZB，再到2026年的163ZB。

DRAM、3D NAND和邏輯等主要技術(shù)正在應(yīng)對電路規(guī)模的挑戰(zhàn)。根據(jù)2015年至2020年的趨勢數(shù)據(jù)，DRAM (Mb/chip)的密度趨于穩(wěn)定，因此DRAM要提升密度就需要引入EUV光刻技術(shù)。對3D NAND而言，存儲容量的需求導(dǎo)致了層數(shù)和層高比的提升，這主要是等離子體蝕刻所關(guān)注的。Logic產(chǎn)品已經(jīng)實施3D結(jié)構(gòu)，看起來還算穩(wěn)定。

Micron的Buddy Nicoson談到了他在該行業(yè)的50年經(jīng)驗，展望未來50年。質(zhì)量、成本、規(guī)模和速度這些主要因素不會改變。到目前為止，這是一次偉大的旅程，充滿了我們前所未有的機遇和挑戰(zhàn)。我們正在進(jìn)入融合(專業(yè)化、集成化)和解決方案的階段。我們將在未來幾年看到一些拐點，其中最好的還未到來。