格芯成都廠(chǎng)停擺，晶圓代工版圖迎劇變

全球第二大晶圓代工廠(chǎng)—格芯近來(lái)營(yíng)運(yùn)頻傳利空消息，除2018年下半年宣布不再追求7奈米先進(jìn)制程的開(kāi)發(fā)，且2019年1月底將位于新加坡Tampines的Fab 3E 8吋晶圓廠(chǎng)售予世界先進(jìn)，2月中旬又傳出格芯與成都市政府在高新區(qū)的12吋廠(chǎng)投資計(jì)劃停擺，此已是格芯先前投資重慶喊卡后，投資大陸再次失利的狀況，除反映近期晶圓代工景氣情勢(shì)反轉(zhuǎn)向下，影響投資計(jì)劃，且面臨大陸企業(yè)逐步崛起的競(jìng)爭(zhēng)之外，更加凸顯格芯本身營(yíng)運(yùn)遭遇困境，特別是阿布達(dá)比資金的抽離、大客戶(hù)AMD轉(zhuǎn)而投向臺(tái)積電7奈米制程、格芯跳躍式的制程研發(fā)面臨瓶頸等，均使得格芯的晶圓代工制程結(jié)構(gòu)轉(zhuǎn)型困難重重。

整體來(lái)說(shuō)，全球晶圓代工業(yè)版圖的分配上，未來(lái)依舊以臺(tái)積電為首，且2019年市占率將有機(jī)會(huì)持續(xù)提高至58%左右，主要是支援EUV的7奈米強(qiáng)化版制程將于2019年第二季進(jìn)入量產(chǎn)，且有更多智慧型手機(jī)、高效能運(yùn)算、車(chē)用電子等晶片會(huì)導(dǎo)入7奈米，而臺(tái)積電5奈米制程則于2019年上半年進(jìn)行風(fēng)險(xiǎn)性試產(chǎn)，意謂即便當(dāng)前面臨半導(dǎo)體業(yè)景氣出現(xiàn)明顯趨緩態(tài)勢(shì)，但2019年臺(tái)積電先進(jìn)制程的推進(jìn)仍如期進(jìn)行。

反觀(guān)全球晶圓代工市占率介于5至10%的第二至五大廠(chǎng)商，2019年版圖將互有消長(zhǎng)，其中格芯市占率恐由2018年的9%向下滑落，聯(lián)電市占率則須視Micron控告公司與福建晉華案的訴訟變化，以及公司執(zhí)行追求報(bào)酬為導(dǎo)向的投資策略、專(zhuān)注于在成熟特殊制程的技術(shù)優(yōu)勢(shì)成效而定，而Samsung、中芯國(guó)際則有反攻向上的機(jī)會(huì)，其中大陸第一大晶圓代工廠(chǎng)──中芯國(guó)際在成熟制程上多元戰(zhàn)略發(fā)展，已有效的減少大幅投入先進(jìn)生產(chǎn)線(xiàn)而產(chǎn)生的財(cái)務(wù)折舊壓力，況且在14奈米FinFET技術(shù)開(kāi)發(fā)出現(xiàn)進(jìn)展，第一代FinFET技術(shù)研發(fā)已進(jìn)入客戶(hù)導(dǎo)入階段，同時(shí)28奈米HKC+技術(shù)順利開(kāi)發(fā)完成，意謂在國(guó)家政策和集成電路大基金的支持之下，中芯國(guó)際將持續(xù)背負(fù)推進(jìn)對(duì)岸先進(jìn)晶圓制程的任務(wù)。至于包括Tower Jazz、力晶、世界先進(jìn)等，2019年其全球晶圓代工市場(chǎng)占有率均分別不超過(guò)3%。