NXP針對(duì)L波段雷達(dá)推出最高速的RF輸出功率組件
[導(dǎo)讀] 恩智浦半導(dǎo)體(NXP Semiconductors)擴(kuò)張其RF Power晶體管產(chǎn)品線，近日推出最新針對(duì)L波段雷達(dá)應(yīng)用的橫向擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體(LDMOS)晶體管，可在1.2GHz到1.4GHz的頻率之間提供高達(dá)500W的RF輸出功率。 針對(duì)大范圍的L
恩智浦半導(dǎo)體(NXP Semiconductors)擴(kuò)張其RF Power晶體管產(chǎn)品線，近日推出最新針對(duì)L波段雷達(dá)應(yīng)用的橫向擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體(LDMOS)晶體管，可在1.2GHz到1.4GHz的頻率之間提供高達(dá)500W的RF輸出功率。
針對(duì)大范圍的L波段雷達(dá)應(yīng)用，恩智浦的LDMOS L波段RF功率晶體管設(shè)置了新的效率標(biāo)準(zhǔn)(漏極效率大于50%)、增益(17dB)和達(dá)500W的耐用度。
恩智浦L波段RF晶體管BLL6H1214-500的主要表現(xiàn)參數(shù)包括500W峰值輸出功率(在1.4GHz、100μs脈沖寬度，25%占空比時(shí))、17dB增益、50%的漏極效率、更佳的耐用度、能夠承受高達(dá)5dB的過(guò)驅(qū)動(dòng)能力、更佳脈沖偏差值(低于0.2dB)、供電電壓50V，以及符合ROHS標(biāo)準(zhǔn)的無(wú)毒封裝。
恩智浦的此款組件結(jié)合了雙載子管的功率密度和適用于L波段雷達(dá)設(shè)計(jì)LDMOS技術(shù)優(yōu)勢(shì)，其環(huán)保的陶瓷封裝，可與BeO封裝互相替代。BLL6H1214-500 LDMOS L波段RF功率晶體管即將上市。
(助編：xiaohu)
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