日本一研究機(jī)構(gòu)將ZnO類紫外LED功率提高至100ΜW

據(jù)日媒報(bào)道，日本東北大學(xué)與羅姆將ZnO(氧化鋅)類紫外LED的發(fā)光強(qiáng)度提高到了100μW，為原來(lái)產(chǎn)品的1萬(wàn)倍。這一發(fā)光強(qiáng)度是InGaN與GaN類紫外LED的約110倍。

東北大學(xué)原子分子材料科學(xué)高等研究機(jī)構(gòu)教授川崎雅司表示，此項(xiàng)成果明確了追趕GaN類產(chǎn)品的前進(jìn)道路。

據(jù)了解，制造LED元件時(shí)采用了MBE(分子束外延)法，并開(kāi)發(fā)出了不使用自由基化氣體的摻雜(Doping)法。這樣，“有望采用量產(chǎn)性更高的MOCVD(有機(jī)金屬氣相沉積)法”。目標(biāo)用途是用于液晶顯示器的背照燈及照明燈的白色LED。這是由東北大學(xué)的川崎、東北大學(xué)金屬材料研究所、東北大學(xué)多元物質(zhì)科學(xué)研究所及羅姆共同取得的研究成果。

研究小組表示，采用紫外LED的白色LED，與搭配使用藍(lán)色LED與黃色熒光體的InGaN及GaN類白色LED相比，有望提高演色性及色再現(xiàn)性。另外，該小組還稱，制造GaN類LED時(shí)很難采購(gòu)到高品質(zhì)的低價(jià)單晶底板，但ZnO類LED可輕松合成單晶底板。因此，有望以較低的成本量產(chǎn)采用單晶底板的LED元件，這種底板可使發(fā)光層與網(wǎng)柵輕松匹配。

編輯：Sophy