[導讀]看準軟性透明基板為未來軟性顯示器的關鍵技術，工研院已研發(fā)多用途軟性電子基板(FlexUPD)技術，藉由玻璃作為可撓式透明板材設計并已實際應用，臺廠若利用既有薄膜電晶體液晶顯示器(TFT LCD)面板廠的玻璃面板設備與制
看準軟性透明基板為未來軟性顯示器的關鍵技術，工研院已研發(fā)多用途軟性電子基板(FlexUPD)技術，藉由玻璃作為可撓式透明板材設計并已實際應用，臺廠若利用既有薄膜電晶體液晶顯示器(TFT LCD)面板廠的玻璃面板設備與制程進一步開發(fā)軟性顯示器，將可發(fā)揮最大經(jīng)濟效益。
工研院顯示中心組長李正中表示，軟性電子基板技術已可大量導入TFT液晶面板制程開發(fā)軟性薄膜元件與應用。
工研院顯示中心組長李正中表示，工研院已改善黏著型基板技術在多層對位不準與殘膠等嚴重問題，現(xiàn)階段透過涂布型基板技術除提升對位精準度解決殘膠問題外，更可運用于350℃高溫TFT制程，因此已可大量導入TFT液晶面板制程開發(fā)軟性薄膜元件與應用如面板廠如奇美、友達毋須購買額外卷對卷(R2R)、涂布設備，可透過既有玻璃面板設備直接生產(chǎn)軟性顯示面板。
李正中表示，工研院多用途軟性電子基板在制程、材料技術于今年獲得突破性改善，在制程增進方面，至2010年11月為止，已改善觸控式薄膜邊角動態(tài)影像邊緣感測，在大尺寸軟性投射式電容觸控膜顯示時仍保持在6寸顯示的穩(wěn)定畫質(zhì)。
而至2010年6月，軟性阻氣基板透過多層堆疊優(yōu)化，平均透光率已提高10%達85.6%，李正中進一步說明，經(jīng)過制程簡化、設備改善與環(huán)境控制，固定面積內(nèi)粉沉降低80%，導入60℃、12小時有機發(fā)光二極體(OLED)-TEG測試后，正面已無暗點增加，進一步提升顯示效能。
據(jù)了解，多用途軟性電子基板應用規(guī)畫包含軟性主動矩陣式有機發(fā)光二極體(AMOLED)、軟性TFT LCD與軟性電容式觸控薄膜、軟性電泳式顯示器(AMEPD)。工研院材化所組長李宗銘則表示，該單位針對軟性AMOLED撓曲顯示亮度已有大幅進展，主要透過改善OLED結(jié)構(gòu)設計與封裝，實際運用玻璃基板OLED量產(chǎn)設備制作可撓式AMOLED，已大幅改善衰減，以制作6寸可撓式AMOLED為例，2010年可達到在R=5公分、彎曲三千次后亮度衰減壓低到25%，相較于2009年4.1寸R=5公分、彎曲二千五百次亮度衰減90%，已有效增大尺寸與改善亮度。
工研院顯示中心組長李正中表示，軟性電子基板技術已可大量導入TFT液晶面板制程開發(fā)軟性薄膜元件與應用。
工研院顯示中心組長李正中表示，工研院已改善黏著型基板技術在多層對位不準與殘膠等嚴重問題，現(xiàn)階段透過涂布型基板技術除提升對位精準度解決殘膠問題外，更可運用于350℃高溫TFT制程，因此已可大量導入TFT液晶面板制程開發(fā)軟性薄膜元件與應用如面板廠如奇美、友達毋須購買額外卷對卷(R2R)、涂布設備，可透過既有玻璃面板設備直接生產(chǎn)軟性顯示面板。
李正中表示，工研院多用途軟性電子基板在制程、材料技術于今年獲得突破性改善，在制程增進方面，至2010年11月為止，已改善觸控式薄膜邊角動態(tài)影像邊緣感測，在大尺寸軟性投射式電容觸控膜顯示時仍保持在6寸顯示的穩(wěn)定畫質(zhì)。
而至2010年6月，軟性阻氣基板透過多層堆疊優(yōu)化，平均透光率已提高10%達85.6%，李正中進一步說明，經(jīng)過制程簡化、設備改善與環(huán)境控制，固定面積內(nèi)粉沉降低80%，導入60℃、12小時有機發(fā)光二極體(OLED)-TEG測試后，正面已無暗點增加，進一步提升顯示效能。
據(jù)了解，多用途軟性電子基板應用規(guī)畫包含軟性主動矩陣式有機發(fā)光二極體(AMOLED)、軟性TFT LCD與軟性電容式觸控薄膜、軟性電泳式顯示器(AMEPD)。工研院材化所組長李宗銘則表示，該單位針對軟性AMOLED撓曲顯示亮度已有大幅進展，主要透過改善OLED結(jié)構(gòu)設計與封裝，實際運用玻璃基板OLED量產(chǎn)設備制作可撓式AMOLED，已大幅改善衰減，以制作6寸可撓式AMOLED為例，2010年可達到在R=5公分、彎曲三千次后亮度衰減壓低到25%，相較于2009年4.1寸R=5公分、彎曲二千五百次亮度衰減90%，已有效增大尺寸與改善亮度。
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