中國(guó)氧化物TFT背板技術(shù)在京東方結(jié)碩

時(shí)間：2012-07-09 18:52:00

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[導(dǎo)讀]中國(guó)大陸首塊氧化物TFT液晶屏(18.5英寸HD Oxide TFT-LCD)及首塊氧化物AMOLED顯示屏(4英寸WQVGA Oxide AMOLED)在京東方研發(fā)成功，同時(shí)，相關(guān)工藝技術(shù)及設(shè)計(jì)開(kāi)發(fā)也已完成。這標(biāo)志著我國(guó)氧化物TFT背板技術(shù)研制已經(jīng)達(dá)到業(yè)

中國(guó)大陸首塊氧化物TFT液晶屏(18.5英寸HD Oxide TFT-LCD)及首塊氧化物AMOLED顯示屏(4英寸WQVGA Oxide AMOLED)在京東方研發(fā)成功，同時(shí)，相關(guān)工藝技術(shù)及設(shè)計(jì)開(kāi)發(fā)也已完成。這標(biāo)志著我國(guó)氧化物TFT背板技術(shù)研制已經(jīng)達(dá)到業(yè)界先進(jìn)水平，也將進(jìn)一步推動(dòng)我國(guó)在AMOLED等新型顯示產(chǎn)品的研制進(jìn)程。

氧化物TFT即Oxide TFT背板技術(shù)，是與傳統(tǒng)a-Si TFT制程相近的背板技術(shù)，它將原本應(yīng)用于a-Si TFT的硅半導(dǎo)體材料部分置換成氧化物半導(dǎo)體(現(xiàn)在應(yīng)用最廣泛的是a-IGZO(amorphous Indium Gallium Zinc Oxide, 銦鎵鋅氧化物)來(lái)形成TFT 半導(dǎo)體層。

氧化物TFT相對(duì)于a-Si TFT具有制備溫度要求低，遷移率高等優(yōu)勢(shì)，可應(yīng)用于高頻顯示和高分辨率顯示產(chǎn)品，且相對(duì)于低溫多晶硅TFT制造領(lǐng)域具有設(shè)備投資成本低、運(yùn)營(yíng)保障成本低等優(yōu)點(diǎn)。

特別值得一提的是，氧化物TFT還是AMOLED新型顯示技術(shù)研發(fā)制造的關(guān)鍵技術(shù)。AMOLED顯示要解決量產(chǎn)、大尺寸制造等問(wèn)題，首先需要解決的就是TFT背板開(kāi)發(fā)問(wèn)題。氧化物TFT技術(shù)的成功開(kāi)發(fā)彌補(bǔ)了大尺寸AMOLED背板技術(shù)的缺陷，勢(shì)必成為推動(dòng)AMOLED顯示產(chǎn)品進(jìn)一步量產(chǎn)化的關(guān)鍵技術(shù)。而應(yīng)用Oxide TFT技術(shù)的液晶屏及AMOLED顯示屏，其綜合性能將遠(yuǎn)高于同類(lèi)a-Si TFT產(chǎn)品。

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