[導讀]韓國LG顯示器公司OLED先進技術開發(fā)部技術研究員James Lee在顯示器相關的最大規(guī)模國際會議“SID 2012”上發(fā)表了主題演講，介紹了已計劃量產(chǎn)的55英寸有機EL面板的實現(xiàn)技術。演講題目為“The Latest Technology Breakth
韓國LG顯示器公司OLED先進技術開發(fā)部技術研究員James Lee在顯示器相關的最大規(guī)模國際會議“SID 2012”上發(fā)表了主題演講，介紹了已計劃量產(chǎn)的55英寸有機EL面板的實現(xiàn)技術。演講題目為“The Latest Technology Breakthrough for OLED TV Commercialization”。
55英寸的有機EL面板被配備在LG顯示器的集團公司韓國LG電子的有機EL電視“55EM960V”上。電視的厚度為4mm（面板厚度為3.5mm），重10kg。顯示性能方面，對比度“無限大”（LG顯示器的Lee），色彩表現(xiàn)范圍ITU-R BT.709規(guī)格為120％。亮度在全白顯示時為100cd/m2，峰值亮度為400cd/m2。響應速度在0.02m秒以下。
采用串聯(lián)型白色有機EL構造
開發(fā)品采用在白色（W)有機EL發(fā)光材料上組合使用RGBW四色彩色濾光片（CF）的“WOLED+CF”方式實現(xiàn)彩色顯示。元件構造為從TFT基板提取光的底部發(fā)光型。彩色濾光片在TFT基板上形成，然后在其上蒸鍍低分子型白色有機EL發(fā)光材料。白色有機材料采用在藍色螢光材料上重疊紅色和綠色磷光材料的“串聯(lián)型”結構。白色EL發(fā)光材料的詳情在2012年6月6日（當?shù)貢r間）的演講中公布[論文序號：21.2]。
通過采用WOLED+CF方式，與分涂RGB三色發(fā)光材料的方式相比，除了容易實現(xiàn)大屏幕化外，還易于確保量產(chǎn)時的成品率。但存在的課題是，采用CF會導致耗電量增加。不過通過追加W（透明）CF，降低了耗電量?！芭c采用分涂RGB三色發(fā)光材料的方式相比，平均顯示畫面的耗電量稍高一些，但全白顯示時的耗電量較低”（LG顯示器的Lee）。不過，Lee沒有公布耗電量數(shù)值。
利用第8代生產(chǎn)線制造IGZO TFT
試制面板的驅動元件采用氧化物半導體非晶IGZO（In-Ga-Zn-O）TFT，每個像素配備2個晶體管和1個電容器（2T1C）。TFT元件采用底柵型構造，為提高可靠性，在半導體層的上部設置了蝕刻阻擋層。載流子遷移率為10cm[!--empirenews.page--]2/Vs以上。
IGZO TFT在第8代（2500mm×2200mm）玻璃基板上制作而成。IGZO層利用DC濺射法成膜。在玻璃基板的62個點測量I-V特性的結果顯示，“閾值電壓（Vth）偏差只有±0.5V”（LG顯示器的Lee）。
圖1：展會上公開的55英寸有機EL電視
圖2：LG顯示器的James Lee
55英寸的有機EL面板被配備在LG顯示器的集團公司韓國LG電子的有機EL電視“55EM960V”上。電視的厚度為4mm（面板厚度為3.5mm），重10kg。顯示性能方面，對比度“無限大”（LG顯示器的Lee），色彩表現(xiàn)范圍ITU-R BT.709規(guī)格為120％。亮度在全白顯示時為100cd/m2，峰值亮度為400cd/m2。響應速度在0.02m秒以下。
采用串聯(lián)型白色有機EL構造
開發(fā)品采用在白色（W)有機EL發(fā)光材料上組合使用RGBW四色彩色濾光片（CF）的“WOLED+CF”方式實現(xiàn)彩色顯示。元件構造為從TFT基板提取光的底部發(fā)光型。彩色濾光片在TFT基板上形成，然后在其上蒸鍍低分子型白色有機EL發(fā)光材料。白色有機材料采用在藍色螢光材料上重疊紅色和綠色磷光材料的“串聯(lián)型”結構。白色EL發(fā)光材料的詳情在2012年6月6日（當?shù)貢r間）的演講中公布[論文序號：21.2]。
通過采用WOLED+CF方式，與分涂RGB三色發(fā)光材料的方式相比，除了容易實現(xiàn)大屏幕化外，還易于確保量產(chǎn)時的成品率。但存在的課題是，采用CF會導致耗電量增加。不過通過追加W（透明）CF，降低了耗電量?！芭c采用分涂RGB三色發(fā)光材料的方式相比，平均顯示畫面的耗電量稍高一些，但全白顯示時的耗電量較低”（LG顯示器的Lee）。不過，Lee沒有公布耗電量數(shù)值。
利用第8代生產(chǎn)線制造IGZO TFT
試制面板的驅動元件采用氧化物半導體非晶IGZO（In-Ga-Zn-O）TFT，每個像素配備2個晶體管和1個電容器（2T1C）。TFT元件采用底柵型構造，為提高可靠性，在半導體層的上部設置了蝕刻阻擋層。載流子遷移率為10cm[!--empirenews.page--]2/Vs以上。
IGZO TFT在第8代（2500mm×2200mm）玻璃基板上制作而成。IGZO層利用DC濺射法成膜。在玻璃基板的62個點測量I-V特性的結果顯示，“閾值電壓（Vth）偏差只有±0.5V”（LG顯示器的Lee）。
圖1：展會上公開的55英寸有機EL電視
圖2：LG顯示器的James Lee
下載文檔
