[導讀]加速實現(xiàn)軟性電子新應用
工研院與日本基板大廠KANEKA共同發(fā)表合作開發(fā)可應用于未來軟性顯示器的半導體氧化物電晶體陣列技術(IGZO, In-Ga-Zn-OTFT)，這項創(chuàng)新開發(fā)的IGZO TFT陣列創(chuàng)新開發(fā)出≦200°C低溫制程，更具有高
加速實現(xiàn)軟性電子新應用
工研院與日本基板大廠KANEKA共同發(fā)表合作開發(fā)可應用于未來軟性顯示器的半導體氧化物電晶體陣列技術(IGZO, In-Ga-Zn-OTFT)，這項創(chuàng)新開發(fā)的IGZO TFT陣列創(chuàng)新開發(fā)出≦200°C低溫制程，更具有高撓曲特點，曲率半徑?1公分，已克服傳統(tǒng)電晶體高溫制程熱脹冷縮造成的位移及基板變形情形，此研究成果已獲第19屆全球顯示技術研討會(International Display Workshops , IDW'12)入選論文殊榮，并受邀于12月4日研討會中發(fā)表。
傳統(tǒng)的電晶體是在380°c高溫制程中，在矽晶圓(Wafer)或玻璃等堅固材質上，利用濺鍍、光蝕刻、蒸鍍等半導體制程，在矽晶圓上制作出極小的微結構。工研院開發(fā)的IGZO TFT陣列創(chuàng)新使用塑膠基板及低溫≦200°C制程，使電晶體在低溫制程中，仍具有好的電流開關比特性，也因整合元件結構，突破制程中溫度升高時，電晶體與塑膠基板兩個不同材質因熱脹冷縮不一致的應力問題，使軟性基板在制作過程中不易破裂外，也使軟性基板在制程中維持其平坦性及透明度，易于制作高撓曲TFT背板。
工研院的創(chuàng)新氧化物薄膜電晶體陣列技術，已整合應用于基板大廠KANEKA的軟性塑膠(Polyimide,PI)基板，經(jīng)過雙方合作驗證，已成功克服應力所造成元件特性失效的技術挑戰(zhàn)及實現(xiàn)高撓曲氧化物薄膜電晶體陣列技術(曲率半徑?1公分)；同時也透過合作調整，KANEKA公司也發(fā)展出大于85%高透明度、低熱膨脹(<10ppm/oC)及高耐熱溫度(> 300 oC)特性的基板。預計這項這項技術可廣泛應用于軟性AMOLED、軟性AM LCD或軟性EPD，甚至軟性OPV及OLED Lighting，可加速實現(xiàn)手機、電腦或電視等產(chǎn)品變身為輕薄、柔軟及可彎曲的產(chǎn)品，也為軟性電子打開嶄新應用。
工研院與日本基板大廠KANEKA共同發(fā)表合作開發(fā)可應用于未來軟性顯示器的半導體氧化物電晶體陣列技術(IGZO, In-Ga-Zn-OTFT)，這項創(chuàng)新開發(fā)的IGZO TFT陣列創(chuàng)新開發(fā)出≦200°C低溫制程，更具有高撓曲特點，曲率半徑?1公分，已克服傳統(tǒng)電晶體高溫制程熱脹冷縮造成的位移及基板變形情形，此研究成果已獲第19屆全球顯示技術研討會(International Display Workshops , IDW'12)入選論文殊榮，并受邀于12月4日研討會中發(fā)表。
傳統(tǒng)的電晶體是在380°c高溫制程中，在矽晶圓(Wafer)或玻璃等堅固材質上，利用濺鍍、光蝕刻、蒸鍍等半導體制程，在矽晶圓上制作出極小的微結構。工研院開發(fā)的IGZO TFT陣列創(chuàng)新使用塑膠基板及低溫≦200°C制程，使電晶體在低溫制程中，仍具有好的電流開關比特性，也因整合元件結構，突破制程中溫度升高時，電晶體與塑膠基板兩個不同材質因熱脹冷縮不一致的應力問題，使軟性基板在制作過程中不易破裂外，也使軟性基板在制程中維持其平坦性及透明度，易于制作高撓曲TFT背板。
工研院的創(chuàng)新氧化物薄膜電晶體陣列技術，已整合應用于基板大廠KANEKA的軟性塑膠(Polyimide,PI)基板，經(jīng)過雙方合作驗證，已成功克服應力所造成元件特性失效的技術挑戰(zhàn)及實現(xiàn)高撓曲氧化物薄膜電晶體陣列技術(曲率半徑?1公分)；同時也透過合作調整，KANEKA公司也發(fā)展出大于85%高透明度、低熱膨脹(<10ppm/oC)及高耐熱溫度(> 300 oC)特性的基板。預計這項這項技術可廣泛應用于軟性AMOLED、軟性AM LCD或軟性EPD，甚至軟性OPV及OLED Lighting，可加速實現(xiàn)手機、電腦或電視等產(chǎn)品變身為輕薄、柔軟及可彎曲的產(chǎn)品，也為軟性電子打開嶄新應用。
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