白光LED專利防御與運(yùn)營(yíng)研究

LED半導(dǎo)體照明網(wǎng)訊 LED專利領(lǐng)域全球?qū)＠^(guò)12萬(wàn)件，核心專利主要在國(guó)外企業(yè)手中，中國(guó)企業(yè)在技術(shù)和專利方面落后于國(guó)外企業(yè)。以LED前端為例，目前國(guó)內(nèi)已授權(quán)的約470件外延專利中有超過(guò)350件是國(guó)外企業(yè)所申請(qǐng)，國(guó)內(nèi)企業(yè)申請(qǐng)授權(quán)量?jī)H有110件左右，且有部分為實(shí)用新型專利。國(guó)內(nèi)已授權(quán)的芯片專利中約有7成掌握在國(guó)外企業(yè)手中，國(guó)內(nèi)企業(yè)僅占3成。專利技術(shù)積累不足使得國(guó)內(nèi)LED行業(yè)面臨如何進(jìn)行專利防御、規(guī)避專利風(fēng)險(xiǎn)等一系列問(wèn)題。

白光LED因其高效節(jié)能、綠色環(huán)保等特點(diǎn)而引起照明領(lǐng)域第三次革命，目前LED領(lǐng)域形成了以五大廠領(lǐng)先，韓國(guó)、中國(guó)臺(tái)灣企業(yè)緊隨其后，中國(guó)企業(yè)聚集產(chǎn)業(yè)中下游的格局。白光通常的實(shí)現(xiàn)方式可分為單晶型和多晶型，不論何種方式，芯片都必不可少，因此LED芯片的知識(shí)產(chǎn)權(quán)非常重要。同時(shí)，由于目前主流的白光實(shí)現(xiàn)方案多采用芯片加熒光粉方式實(shí)現(xiàn)，所以白光LED知識(shí)產(chǎn)權(quán)主要集中在芯片和熒光粉兩個(gè)方面。

一、白光LED芯片的知識(shí)產(chǎn)權(quán)概況

制造一個(gè)白光LED芯片主要包括襯底、緩沖層、外延(功能層尤其是發(fā)光區(qū))、芯片制造、電極等。主流襯底材料為藍(lán)寶石和碳化硅，藍(lán)寶石襯底技術(shù)由日亞化學(xué)開(kāi)發(fā)，碳化硅襯底技術(shù)由科銳公司開(kāi)發(fā)。日亞化學(xué)的藍(lán)寶石襯底專利有JP2632239(92.06)、JP2795294(93.04)等，這些專利基本只在日本申請(qǐng)專利，未在其他國(guó)家和地區(qū)進(jìn)行同族申請(qǐng)。從日亞的藍(lán)寶石襯底專利布局來(lái)看，在日本以外的地區(qū)使用藍(lán)寶石做襯底本身并不構(gòu)成侵權(quán)?？其J公司碳化硅襯底技術(shù)的核心US5631190等在中國(guó)有同族專利授權(quán)，因此使用碳化硅襯底侵權(quán)風(fēng)險(xiǎn)極大。目前，硅襯底技術(shù)得到發(fā)展受各大企業(yè)的重視，國(guó)內(nèi)在該技術(shù)上有一定專利積累，該技術(shù)的發(fā)展對(duì)國(guó)內(nèi)企業(yè)規(guī)避知識(shí)產(chǎn)權(quán)風(fēng)險(xiǎn)有一定意義。

緩沖層材料一般有AlN緩沖層、GaN緩沖層、SiNx緩沖層，與之對(duì)應(yīng)的核心專利分別為JP2000124499、JP7312350、EP1111663，前兩種材料只在日本有專利申請(qǐng)，后一種在日、美、歐、韓，以及中國(guó)臺(tái)灣都有專利保護(hù)，但在中國(guó)大陸沒(méi)有同族專利。其它如多緩沖層技術(shù)在美、歐、加、澳有專利保護(hù)，在中國(guó)也沒(méi)有同族專利；超晶格阻斷位錯(cuò)技術(shù)在美、日有專利保護(hù)，在中國(guó)沒(méi)有同族專利；懸掛外延技術(shù)在美、歐、日有專利保護(hù)，中國(guó)沒(méi)有同族專利。值得注意的是，橫向外延過(guò)生長(zhǎng)技術(shù)在中國(guó)有同族專利授權(quán)，因此，在緩沖層材料方面，中國(guó)市場(chǎng)使用以上材料做緩沖層專利風(fēng)險(xiǎn)不大。主要緩沖層技術(shù)都沒(méi)在中國(guó)申請(qǐng)專利，因此該技術(shù)領(lǐng)域知識(shí)產(chǎn)權(quán)風(fēng)險(xiǎn)不大。

外延功能層中發(fā)光區(qū)核心專利中除日亞化學(xué)的方形單量子阱EP1189289，科銳公司的采用非摻雜的載流子限制層在中國(guó)有同族專利授權(quán)之外，其它如普通雙異質(zhì)結(jié)量子阱、方形多量子阱、梯形量子阱、三角量子阱以及非對(duì)稱量子阱、活性層與p型層之間加入緩沖層、采用多量子壘(MQB)做載流子限制層等專利均未在中國(guó)申請(qǐng)同族專利。在外延方面，國(guó)內(nèi)企業(yè)會(huì)面臨一定知識(shí)產(chǎn)權(quán)問(wèn)題，但因替代方案較多所以問(wèn)題不大，只要注意規(guī)避應(yīng)當(dāng)可以避免這方面的問(wèn)題。

芯片制造是國(guó)內(nèi)企業(yè)面臨知識(shí)產(chǎn)權(quán)問(wèn)題最嚴(yán)重的一個(gè)領(lǐng)域，國(guó)際LED核心制造專利中科銳公司的US5631190等及歐司朗公司的US2002017652在中國(guó)均有同族專利，使用這些專利技術(shù)風(fēng)險(xiǎn)極大。其它如US6538302等核心專利在中國(guó)沒(méi)有同族申請(qǐng)，使用這些專利技術(shù)專利風(fēng)險(xiǎn)不大。其它沒(méi)有在中國(guó)申請(qǐng)同族的核心專利還有WO03026029、US2003015708等。因此，在芯片制造領(lǐng)域，國(guó)內(nèi)LED芯片制造企業(yè)會(huì)面臨較大的專利風(fēng)險(xiǎn)，國(guó)內(nèi)企業(yè)應(yīng)當(dāng)做好該領(lǐng)域的專利預(yù)警分析，并做相應(yīng)的規(guī)避設(shè)計(jì)，避免專利侵權(quán)。