半導(dǎo)體所“低熱阻高光效半導(dǎo)體照明關(guān)鍵技術(shù)”通過(guò)鑒定

LED半導(dǎo)體照明網(wǎng)訊 2014年1月18日，由中國(guó)科學(xué)院科技促進(jìn)發(fā)展局主持召開(kāi)的“低熱阻高光效半導(dǎo)體照明關(guān)鍵技術(shù)”科技成果鑒定會(huì)在中科院半導(dǎo)體研究所舉行。

成果鑒定會(huì)上，由清華大學(xué)周炳琨、北京大學(xué)甘子釗、中科院微電子研究所吳德馨及南京大學(xué)鄭有炓等多位院士和行業(yè)內(nèi)知名專家組成的鑒定委員會(huì)聽(tīng)取了半導(dǎo)體照明研發(fā)中心研究員李晉閩的技術(shù)總結(jié)報(bào)告、測(cè)試報(bào)告、技術(shù)查新報(bào)告及用戶使用報(bào)告，并審查了相關(guān)材料，最終對(duì)該項(xiàng)成果形成了鑒定意見(jiàn)。該技術(shù)重點(diǎn)解決了高端功率型LED發(fā)光效率低和散熱性能差兩大技術(shù)瓶頸，通過(guò)技術(shù)輻射有力提高了國(guó)內(nèi)高端功率型LED的產(chǎn)業(yè)化水平。該項(xiàng)成果技術(shù)創(chuàng)新特色突出，具有重要的科學(xué)意義和實(shí)用價(jià)值，實(shí)現(xiàn)了低熱阻高光效半導(dǎo)體照明核心器件，與國(guó)內(nèi)外同類技術(shù)相比，總體上達(dá)到國(guó)際領(lǐng)先水平。同時(shí)該成果已經(jīng)成功轉(zhuǎn)移到相關(guān)企業(yè)，取得重要的社會(huì)和經(jīng)濟(jì)效益。其中復(fù)合光學(xué)膜技術(shù)已被行業(yè)廣泛采用，成為主流關(guān)鍵工藝技術(shù)，有力地促進(jìn)了高端LED芯片的國(guó)產(chǎn)化進(jìn)度。最終，鑒定委員會(huì)一致同意“低熱阻高光效半導(dǎo)體照明關(guān)鍵技術(shù)”通過(guò)成果鑒定。

此次鑒定會(huì)的成功召開(kāi)，不僅展示了照明中心在半導(dǎo)體照明領(lǐng)域科研方面的新成果，提升了中心在相關(guān)領(lǐng)域的影響力，也為今后的發(fā)展奠定了扎實(shí)基礎(chǔ)，為企業(yè)的發(fā)展提供了有力的保障。