高通宣布45納米的3G芯片完成首次呼叫

美國高通公司(Nasdaq: QCOM)日前宣布已使用以45納米(nm)工藝技術(shù)制造的3G芯片完成首次呼叫。作為新一代的CMOS半導(dǎo)體制造技術(shù)，45納米技術(shù)可提高芯片的速度、降低功耗、提高集成度，并通過增加每片晶圓的裸片數(shù)以降低裸片成本。

此外，高通稱正在開發(fā)40納米工藝技術(shù)，將為半導(dǎo)體性能、成本和效率創(chuàng)造更大的優(yōu)勢。

高通此次呼叫使用了臺(tái)灣積體電路制造股份有限公司(TSMS，TSE：2330，NYSE：TSM)的首款45納米芯片，TSMC是全球最大的專業(yè)半導(dǎo)體代工廠商。高通CDMA技術(shù)集團(tuán)產(chǎn)品管理高級(jí)副總裁史蒂夫•莫倫科夫(Steve Mollenkopf)表示，“這一具有里程碑意義的呼叫表明了我們?cè)跒槭袌鎏峁┬乱淮酒矫娴倪M(jìn)展，這種芯片將為用戶提供無與倫比的性能和功能。”

“高通公司采用TSMC的45納米工藝3G芯片實(shí)現(xiàn)的首次呼叫成功，是提倡端到端協(xié)作的集成代工模式的最好例證。兩家公司在設(shè)計(jì)和技術(shù)方面的協(xié)作努力讓產(chǎn)品以更快的速度上市。”TSMC第二運(yùn)營部的資深副總裁劉德音表示，“高通公司出色的設(shè)計(jì)和TSMC穩(wěn)健的技術(shù)和制造能力的組合必將持續(xù)確保未來的進(jìn)一步成功。”

高通最近推出了低功耗優(yōu)化的45納米工藝技術(shù)。這種工藝技術(shù)利用先進(jìn)的浸入式光刻技術(shù)和超低k介電層材料，能夠提供極具競爭力的性能、卓越的成本效益、更好的防漏電性和更高的集成度。