3月15日消息（于藝婉）日前，中國移動聯(lián)合芯片及設備廠商正在進行TD-LTE研究開發(fā)技術試驗，而NGMN TD-LTE工作組方面也傳來了最新進展，在本月初召開的一次會議上，TD-LTE三項最新進展被公諸于眾。
首先，完成單用戶雙流BF和多用戶MU-MIMO的仿真。在去年底，大唐移動向業(yè)界展示了與中國移動聯(lián)手推出的雙流BF技術，其應用于信號散射體比較充分的條件下，結合了智能天線技術和MIMO空間復用技術，利用了TDD信道的對稱性，同時傳輸多個數(shù)據(jù)流實現(xiàn)空分復用，能夠保持在傳統(tǒng)單流下實現(xiàn)廣覆蓋，提高小區(qū)容量和減少干擾。
根據(jù)9家芯片廠商和7家系統(tǒng)廠商的調研反饋，完成了TDD/FDD共芯片和共基站的可行性分析，成為了TD-LTE工作組近期的第二項工作進展。截至到目前，展訊、T3G、聯(lián)芯、重郵信科、海思、中興微電子、創(chuàng)毅視訊、蘇州簡約納以及高通公司都參加了正在進行的TD-LTE研究開發(fā)技術試驗。
第三項進展仍舊是關于芯片。據(jù)悉。被調研的芯片廠家都將在未來一年提供TDD/FDD芯片，而且大多數(shù)廠家都考慮了開發(fā)LTE與EDGE、WCDMA、TD-SCDMA的多模芯片。在去年底的一次溝通中，高通公司全球市場營銷和投資者關系高級副總裁比爾•戴維森表示：“高通公司預計于2010年推出的新芯片組將支持FDD LTE和TDD LTE模式。”
無論是TD-SCDMA、CDMA2000還是WCDMA都將殊途同歸，LTE已經(jīng)為成為確定的后向演進方向。2007年，3GPP將中國和歐洲的兩個LTE不同的標準融合了起來，它既兼顧了TD-SCDMA下一步演進，更主要還是將FDD LTE幀結構也融合了起來。多模芯片勢在必行。
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