SiGe用于移動設備的基于硅技術(shù)的集成式WiFi前端IC

SiGe半導體公司(SiGe Semiconductor)擴展其全面廣泛的產(chǎn)品系列，推出RF開關/LNA 前端IC (FEIC)產(chǎn)品SE2601T。新器件專門為提高嵌入式應用中融合型藍牙/WiFi芯片組的性能和功能性而設計，能夠滿足新一代智能電話、上網(wǎng)本、個人媒體播放器和數(shù)碼相機對融合多種連接能力(如WiFi和藍牙)不斷增長的需求。

　　 SiGe半導體亞太區(qū)市場推廣總監(jiān)高國洪評論新產(chǎn)品時稱：“我們推出的SE2601T產(chǎn)品，為客戶提供了整合單刀三擲(SP3T) RF開關和WiFi接收路徑低噪聲放大器(LNA)的單芯片解決方案。SE2601T集成在設備母板上或模塊化解決方案中的多種分立功能，減少了電路板占位面積，并為今天之功能豐富的酷炫移動設備的設計人員提供了重要的優(yōu)勢?！?

　　 SiGe半導體開發(fā)SE2601T，旨在使用集成式CMOS功率放大器(PA)來增強藍牙/WiFi芯片組解決方案的性能和功能性。

　　 SE2601T充分利用了基于硅技術(shù)的RF解決方案的性能和功能集成優(yōu)勢。該器件通過在天線和RF接收器之間，放置廣被CSR、Marvell、BroADCom 和 Atheros等領先供應商的芯片組使用的高性能LNA，來擴大WiFi解決方案的連接范圍。對于智能電話等嵌入式應用設備，由于WiFi解決方案的實體空間限制，LNA功能每每因而被刪減，從而導致連接性能劣化。另外，有鑒于嵌入式應用設備因使用小尺寸天線而影響信號質(zhì)量，LNA器件能夠顯著提高至關重要的WiFi接收系統(tǒng)的靈敏度。RF開關(支持藍牙和802.11bgn功能之間的天線共享)通常是一個分立器件，需要額外的無源器件，因而占位空間多于集成式2601T解決方案。因此，SE2601T可大大減少為了增強WiFi性能所需的占位面積，同時支持藍牙和WiFi功能的天線共享。

　　 從競爭角度來看，SE2601T通過采用基于硅技術(shù)的IC工藝集成了所需的DC阻隔電容，而基于砷化鎵(GaA) 的競爭產(chǎn)品卻需要外部電容，故占用了更多的電路板空間，并增加了WiFi解決方案的材料清單成本。

　　 SE2601T是SiGe基于硅技術(shù)的RF開關/LNA產(chǎn)品系列的一員，采用2x2mm QFN封裝，也是SiGe半導體最近發(fā)布的SE2600S芯片級封裝(CSP) FEIC的同類型產(chǎn)品。二者的分別在于SE2600S是專為模塊供應商而設計的，而SE2601T則是最適合直接用于嵌入式設備母板的產(chǎn)品。

　　 高國洪總結(jié)道：“SE2601T為客戶設計提供了集成式解決方案，能夠滿足業(yè)界增長最快速之市場領域的某些需求。新產(chǎn)品具備縮短設計時間，最大限度減小占位面積，并減少所需元件數(shù)目的優(yōu)勢，因而成為在智能電話和其它嵌入式設備中實現(xiàn)融合型藍牙/ WiFi功能的首選器件?！?

　　 SE2601T采用符合RoHS指令的無鹵素、小引腳、2mm x 2mm x 0.6mm QFN封裝。