報(bào)告稱(chēng)今年固態(tài)硬盤(pán)每GB容量?jī)r(jià)格將跌破1美元

1GB 1美元——這很久以來(lái)就被視為固態(tài)硬盤(pán)真正全民普及、成為大眾化主流配置的一道門(mén)檻，而根據(jù)DRAMeXchange的最新報(bào)告，今年下半年就能以低于1GB 1美元的價(jià)格買(mǎi)到固態(tài)硬盤(pán)。

20nm、19nm等最新NAND閃存工藝將在今年下半年投入大規(guī)模量產(chǎn)，閃存芯片的成本也會(huì)進(jìn)一步降低，每GB將會(huì)不足1美元。DRAMeXchange預(yù)計(jì)，在那之后超極本、超輕薄本都會(huì)從混合硬盤(pán)過(guò)渡到純粹的固態(tài)硬盤(pán)，而后者的主流容量也將升至128GB。

隨著Intel Ivy Bridge處理器的推出、固態(tài)硬盤(pán)價(jià)格的進(jìn)一步下跌，超極本有望在今年第三季度迎來(lái)大爆發(fā)，而固態(tài)硬盤(pán)也會(huì)逐漸成為PC升級(jí)的首選。

DRAMeXchange的數(shù)據(jù)顯示，固態(tài)硬盤(pán)對(duì)NAND閃存的消耗比例在2011年僅為5.1％，今年有望猛增至15％，因此固態(tài)硬盤(pán)對(duì)閃存市場(chǎng)的貢獻(xiàn)潛力是非常巨大的，制造商們也會(huì)因此更加不遺余力地改進(jìn)閃存的工藝、性能和可靠性。

Intel將在今年第三季度推出20nm MLC NAND閃存的新一代2.5寸固態(tài)硬盤(pán)King Crest。OCZ甚至還打算在固態(tài)硬盤(pán)中使用 三層存儲(chǔ)單元的TLC NAND閃存芯片，勢(shì)必會(huì)進(jìn)一步帶動(dòng)固態(tài)硬盤(pán)價(jià)格的下跌。