國(guó)內(nèi)首顆可量產(chǎn)并具自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的CMOS GSM射頻前端芯片

中科漢天下致力于無線通信芯片及射頻前端芯片的研發(fā)。日前，該公司推出了國(guó)內(nèi)首顆可大規(guī)模量產(chǎn)并具有完全自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的CMOS GSM射頻前端芯片—HS8269。
HS8269采用標(biāo)準(zhǔn)CMOS工藝，將全部電路（射頻功率放大器、控制器和天線開關(guān)）集成于一顆CMOS晶圓中，實(shí)現(xiàn)了目前GaAs射頻前端方案至少需要三顆晶圓才能實(shí)現(xiàn)的功能，該芯片支持四頻段發(fā)射（GSM850/EGSM900/DCS1800/PCS1900）和雙頻段接收（GSM/DCS），能夠有效實(shí)現(xiàn)功率放大、功率控制、開關(guān)切換的功能。

作為國(guó)內(nèi)首顆可大規(guī)模量產(chǎn)并具有完全自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的CMOS GSM射頻前端芯片，HS8269在功率、效率等方面表現(xiàn)出色，這些指標(biāo)達(dá)到或超過同類GaAs射頻前端芯片水平。HS8269具有超低的雜散，可以順利通過各種國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)（例如CTA等）測(cè)試。同時(shí)，HS8269具有高可靠性和高靜電防護(hù)能力：在負(fù)載失配VSWR=20:1條件下芯片仍不會(huì)損壞； 所有端口人體模式ESD防護(hù)能力均在2000V以上，天線端人體模式ESD防護(hù)能力在8000V以上。

HS8269采用LGA封裝方式，芯片尺寸為7.0mm x 6.0mm x 1.0mm，管腳設(shè)置與主流方案相匹配，真正實(shí)現(xiàn)無縫兼容，并將客戶的缺貨風(fēng)險(xiǎn)降至最低。HS8269芯片內(nèi)部集成50歐姆負(fù)載匹配，外圍電路簡(jiǎn)單，減小了手機(jī)布板的復(fù)雜性和PCB面積，有效地為客戶節(jié)省成本。

“我們一直不斷致力于高性價(jià)比的無線通信芯片及射頻前端產(chǎn)品的創(chuàng)新和研發(fā)”，中科漢天下董事長(zhǎng)楊清華表示，“HS8269集成在一顆CMOS晶圓上，有更高的集成度、更低的成本。作為一款具有業(yè)界最高性價(jià)比的CMOS GSM射頻前端芯片，HS8269能夠幫助我們的客戶快速推出更有競(jìng)爭(zhēng)力的手機(jī)終端。”