5G角逐不斷升級(jí)，我國5G GaN功率放大器芯片通過認(rèn)證
[導(dǎo)讀]據(jù)報(bào)道，該研究院有關(guān)負(fù)責(zé)人透露，GaN芯片已完成多款產(chǎn)品設(shè)計(jì)，并已獲得中電集團(tuán)客戶認(rèn)證成功，計(jì)劃2019年正式推出，將可全面滿足中國5G通信基站對(duì)射頻功率放大器的需求，未來可望實(shí)現(xiàn)人與人乃至物聯(lián)網(wǎng)、生產(chǎn)機(jī)器人、無人駕駛“實(shí)時(shí)無線電通信”。
2018年被稱為“5G元年”。隨著5G角逐不斷升級(jí)，整個(gè)產(chǎn)業(yè)鏈都在加速前進(jìn)。
在10日揭幕的2018中國國際應(yīng)用科技交易博覽會(huì)上，我國5G芯片又交出了一份成績(jī)。國產(chǎn)5G通信基站GaN(氮化鎵)功率放大器芯片在中國發(fā)明成果轉(zhuǎn)化研究院展區(qū)對(duì)外亮相。
據(jù)報(bào)道，該研究院有關(guān)負(fù)責(zé)人透露，GaN芯片已完成多款產(chǎn)品設(shè)計(jì)，并已獲得中電集團(tuán)客戶認(rèn)證成功，計(jì)劃2019年正式推出，將可全面滿足中國5G通信基站對(duì)射頻功率放大器的需求，未來可望實(shí)現(xiàn)人與人乃至物聯(lián)網(wǎng)、生產(chǎn)機(jī)器人、無人駕駛“實(shí)時(shí)無線電通信”。
如今在3.5GHz以上基站部署方面，GaN將逐步取代LDMOS(橫向擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體)。GaN優(yōu)勢(shì)在于更高功率密度及更高截止頻率，尤其在5G多輸入多輸出(Massive MIMO)應(yīng)用中，可實(shí)現(xiàn)高整合性解決方案。
我國5G GaN功率放大器芯片通過認(rèn)證并在2019年正式推出，這將為我國5G建設(shè)帶來助力。
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