臺(tái)積電擬建第3座12寸廠 拉大與對(duì)手技術(shù)差距

ZDNet China3月5日北京消息：臺(tái)積電表示，臺(tái)積電已規(guī)劃興建第3座12寸廠，新廠將包含最先進(jìn)的35納米研發(fā)中心，設(shè)廠地點(diǎn)可能進(jìn)駐中科園區(qū)，或赴海外尋找據(jù)點(diǎn)。

　　此外，臺(tái)積電也計(jì)劃以倍數(shù)擴(kuò)增位于竹科的晶圓12廠及南科晶圓14廠的產(chǎn)能，月產(chǎn)能從2.5萬(wàn)片，增加到5、6萬(wàn)片。臺(tái)積電是目前全球最大晶圓代工廠。

　　過(guò)去，在晶圓制造的工藝技術(shù)競(jìng)賽中，臺(tái)積電都領(lǐng)先聯(lián)電約1到2季，不過(guò)，聯(lián)電自0.18微米世代急起直追，如今臺(tái)積電規(guī)劃興建全球最先進(jìn)的12寸廠及35納米研發(fā)中心，并倍數(shù)擴(kuò)大12寸產(chǎn)能，將再次拉大與聯(lián)電等競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手產(chǎn)能及技術(shù)的差距。

　　中國(guó)內(nèi)地的中芯國(guó)際進(jìn)來(lái)也成長(zhǎng)為臺(tái)積電的重要競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手。不過(guò)目前中芯主要生產(chǎn)八寸芯片，并將于今年試產(chǎn)12寸芯片，采用的技術(shù)達(dá)0.13微米，是內(nèi)地技術(shù)最先進(jìn)、產(chǎn)能最大的芯片廠。

　　此外，根據(jù)統(tǒng)計(jì)，2004年臺(tái)灣地區(qū)的12寸廠（含投產(chǎn)及新建）達(dá)9座，包括臺(tái)積電位于竹科及南科各1座、聯(lián)電1座外，力晶在竹科有2座新廠，茂德在竹科及中科各1座和在南科與英飛凌合資的華亞12寸廠、華邦電中科12寸廠，將使臺(tái)灣地區(qū)成為全球12寸廠密度最高的區(qū)域。