[導讀]據(jù)EETimes報道，歐洲研發(fā)機構IMEC首席運營官Luc Van den Hove表示，IMEC將在2010年上半年制成預投產EUV（極紫外）光刻設備。
按照目前的進程，該設備將于2012年在IMEC的300mm生產線上投產。盡管對于EUV在商業(yè)制造中
據(jù)EETimes報道，歐洲研發(fā)機構IMEC首席運營官Luc Van den Hove表示，IMEC將在2010年上半年制成預投產EUV（極紫外）光刻設備。
按照目前的進程，該設備將于2012年在IMEC的300mm生產線上投產。盡管對于EUV在商業(yè)制造中的合理性尚存疑問，然而IMEC認為光學光刻無法滿足22nm制程。因此，EUV是唯一的選擇。
2006年8月IMEC從ASML處獲得一臺原型設備，并在這臺原型設備上開發(fā)EUV設備。2007年4月完成首次曝光，2007年9月制成首款圖形。
IMEC在該設備上開展了許多工作，并與Intel和Samsung合作。32nm SRAM是目前獲得的最高水平產品。
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