改革開放30年 看中國特色IC產(chǎn)業(yè)發(fā)展之路

    改革開放30年來，電子信息產(chǎn)業(yè)突飛猛進的發(fā)展為集成電路產(chǎn)業(yè)的成長帶來了盎然生機，而集成電路的不斷躍升也給電子信息制造業(yè)的升級換代奠定了堅實的技術(shù)基礎(chǔ)。沒有集成電路產(chǎn)業(yè)的不斷發(fā)展，沒有規(guī)?；笊a(chǎn)的建設(shè)，沒有創(chuàng)新體制和自主知識產(chǎn)權(quán)的提升，電子信息制造業(yè)甚至整個信息產(chǎn)業(yè)大廈都將缺失賴以聳立的地基。30年來，電子信息產(chǎn)業(yè)及集成電路產(chǎn)業(yè)的發(fā)展印證了這一點。 

      我國半導(dǎo)體技術(shù)是從1956年起步的。20世紀50年代中期，我國開始大規(guī)模的經(jīng)濟建設(shè)。世界上剛剛興起的半導(dǎo)體技術(shù)引起科技專家的關(guān)注，受到了黨和國家的重視。1956年，周恩來總理親自主持制定了《1956年至1967年科學(xué)技術(shù)發(fā)展遠景規(guī)劃綱要》(簡稱十二年科學(xué)規(guī)劃)，其中把電子計算機、半導(dǎo)體、超高頻、電子儀器和遙控等電子技術(shù)列為國家重點科技技術(shù)項目。 

      1956年11月，在半導(dǎo)體專家王守武、林蘭英和武爾禎領(lǐng)導(dǎo)下，中國第一只鍺合金晶體管在北京華北無線電元件研究所誕生。 

      在“二五”計劃(1958年-1962年)和三年國民經(jīng)濟調(diào)整時期(1963年-1965年)，根據(jù)國民經(jīng)濟發(fā)展和國防建設(shè)的需要以及中央“調(diào)整、鞏固、充實、提高”的方針，在電子工業(yè)發(fā)展比較順利的同時，針對電子工業(yè)的缺門和薄弱環(huán)節(jié)，國家先后投資第一批7.77億元、第二批5.29億元，進行了較大規(guī)模的基本建設(shè)和技術(shù)改造，調(diào)整了產(chǎn)品結(jié)構(gòu)，建成了9個重點電子研究所，大大增強了設(shè)計研制能力，取得了不少科技成果。例如：1958年開始計算機的研制，并于1959年由中國科學(xué)院計算技術(shù)研究所研制出我國第一臺電子計算機——— 104型通用電子計算機，字長40位，每秒運算1萬次。1965年，河北半導(dǎo)體研究所研制成功并定型我國第一塊集成電路(DTL門電路)，次年又研制并定型了線性集成電路(寬頻帶放大器、中頻前置低噪聲放大器)。上海元件五廠同中科院上海冶金研究所合作，也在1965年試制出PN結(jié)隔離的DTL門電路。1968年，采用這種國產(chǎn)DTL型數(shù)字電路研制成功中國第一臺第三代電子計算機。 

      到了1970年，國內(nèi)集成電路的年產(chǎn)量已經(jīng)超過400萬塊，產(chǎn)品門類主要是TTL（晶體管-晶體管邏輯電路）系列小規(guī)模電路。20世紀70年代初，全國建成集成電路生產(chǎn)企業(yè)40余家。中國第一塊大規(guī)模集成電路(LSI)PMOS（P型金屬氧化物半導(dǎo)體）型電路于1972年研制成功。從小規(guī)模集成電路(SSI)到大規(guī)模集成電路的研制，我國僅用了7年時間。在此之后，又研制成功NMOS(N型金屬氧化物半導(dǎo)體）電路、CMOS（互補型金屬氧化物半導(dǎo)體）電路。 

      在國家改革開放政策的推動下，電子工業(yè)在“六五”計劃期間對集成電路大生產(chǎn)進行了有益的探索。1982年10月，國務(wù)院為了加強對全國計算機和大規(guī)模集成電路的領(lǐng)導(dǎo)，成立了電子計算機和大規(guī)模集成電路領(lǐng)導(dǎo)小組，制定了中國集成電路發(fā)展規(guī)劃，提出“六五”期間要對半導(dǎo)體工業(yè)進行改造。1983年我國提出“建立南北兩個基地和一個點”。其中，“南方基地”主要指江蘇、上海和浙江，“北方基地”主要指北京、天津和沈陽，“一個點”指西安。江蘇無錫742廠(江南無線電器材廠)1980年引進彩色和黑白電視機用集成電路生產(chǎn)線，主要生產(chǎn)雙極型消費電子類線性電路，1984年產(chǎn)量達3000萬塊，并于1986年5月研制成功64KDRAM（動態(tài)隨機存儲器）。這一時期，國內(nèi)主要集成電路工廠有30余家，技術(shù)人員達5000人左右，1985年集成電路年產(chǎn)量達5300萬塊。這一時期研制成功的新產(chǎn)品還有16KB動態(tài)存儲器、4KB靜態(tài)存儲器、高速1KB靜態(tài)存儲器等大規(guī)模集成電路。 

      “七五”計劃期間的重大舉措是實施“531”工藝技術(shù)發(fā)展戰(zhàn)略，即在此期間普及推廣5微米技術(shù)，重點企業(yè)掌握3微米技術(shù)，開展1微米技術(shù)的科技攻關(guān)，并重點部署了無錫微電子工程項目建設(shè)。其中包括建設(shè)2微米-3微米大生產(chǎn)線、制板和科研中心。2微米-3微米大生產(chǎn)線1988年開工，1993年投入大規(guī)模生產(chǎn)。 

      在“八五”期間建成的華晶集團公司、華越微電子有限公司、上海貝嶺微電子制造有限公司、上海飛利浦半導(dǎo)體公司和首鋼日電電子有限公司等5個主干企業(yè)，對振興中國IC產(chǎn)業(yè)產(chǎn)生了重要影響。至此，我國從事IC生產(chǎn)的主要工廠有15個，從事IC研究和設(shè)計的單位有25個，初步形成了集成電路產(chǎn)品設(shè)計、芯片制造和封裝測試的產(chǎn)業(yè)結(jié)構(gòu)，從業(yè)人員達3.5萬人，其中技術(shù)人員1萬人。 

      1995年我國集成電路年產(chǎn)量近18億塊。但是，我國集成電路的年產(chǎn)量在全球市場中的比例還不到1%，同國際主流水平的差距更大了。 

      為了滿足國內(nèi)需要，縮小同國際水平的差距，國家決定先后啟動“908工程”和“909工程”。 

      “908工程”0.8微米-1微米6英寸生產(chǎn)線，從朗訊科技公司引進，具備月投6000片6英寸圓片的生產(chǎn)能力，1995年動工，1998年1月驗收。 

      “909工程”8英寸、0.5微米深亞微米芯片大生產(chǎn)線，從日本NEC公司引進，投資100億元，1996年4月動工，1999年2月投產(chǎn)，技術(shù)檔次從原計劃的0.5微米提升到0.35微米-0.24微米，生產(chǎn)的64兆、128兆SDRAM（同步動態(tài)隨機存儲器）存儲器達到當時的國際主流水平。這條生產(chǎn)線的建成投產(chǎn)，標志著我國集成電路大生產(chǎn)技術(shù)邁進8英寸、深亞微米的國際水平。 

      由此可以看出，在國家大力推動集成電路發(fā)展有關(guān)政策的指導(dǎo)下，我國集成電路產(chǎn)業(yè)進入一個快速成長的新時期，大量資金的投入是催生快速成長的主要動力。 

      據(jù)不完全統(tǒng)計，2000年-2007年，我國集成電路產(chǎn)業(yè)投入資金多達290億美元，是2000年以前30年間投資總和的9倍左右。2000年-2007年，我國集成電路產(chǎn)業(yè)規(guī)模迅速擴大，技術(shù)水平顯著提高，年均增長率達到30%左右。2007年集成電路產(chǎn)量達到411.6億塊，銷售額達1251億元。 

      這些發(fā)展和成就，令業(yè)界人士振奮，但我國集成電路產(chǎn)業(yè)同國際主流水平的差距仍然很大，投資力度不大仍然是制約我國集成電路產(chǎn)業(yè)持續(xù)發(fā)展的瓶頸。我國集成電路產(chǎn)業(yè)期盼籌措更多的資金，節(jié)節(jié)推進規(guī)?；笊a(chǎn)，進一步完善創(chuàng)新體制，研發(fā)更多擁有自主知識產(chǎn)權(quán)的新產(chǎn)品，在推進信息化和工業(yè)化融合的大潮中，走出一條有中國特色的集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展之路，在整個價值鏈中體現(xiàn)自己不可或缺的價值。 

      借鑒微軟“黑屏”計劃事件的警示，我國半導(dǎo)體專家和信息安全專家繼續(xù)思考著電子系統(tǒng)產(chǎn)品和互聯(lián)網(wǎng)的信息安全的問題，思考著“后門”的安全隱患問題。