誰(shuí)走在半導(dǎo)體工藝制程的前列

在摩爾定律推動(dòng)下，工藝技術(shù)的縮微沒(méi)有停止，基本上每?jī)赡暌粋€(gè)臺(tái)階，今年可達(dá)32納米(注釋?zhuān)ǔＶ肝⑻幚砥鞯牧慨a(chǎn)還要推遲幾個(gè)季度) 。其實(shí)走在縮微制程最前面的是NAND閃存。

據(jù)IMFlash報(bào)道， 已于2008年11月時(shí)實(shí)現(xiàn)34納米的32G NAND閃存量產(chǎn)。今年7月21日?qǐng)?bào)道80G的MLC SSD(固態(tài)硬盤(pán))價(jià)格已由595美元下降到225美元，及160G MLC SSD的價(jià)格由945美元下降到440美元。

目前32納米工藝制程采用193納米浸入式光刻機(jī)，盡管工藝復(fù)雜，成本高，大多還是要用雙重圖形曝光技術(shù)。估計(jì)下一個(gè)22納米接點(diǎn)時(shí)，光學(xué)光刻方法可能已走到盡頭，EUV、電子束直接曝光等都有可能浮現(xiàn)。但是摩爾定律即將終止，技術(shù)已近極限，所以經(jīng)濟(jì)上的矛盾會(huì)逐漸突顯。

下圖為目前全球芯片制造商(不計(jì)代工)的工藝技術(shù)現(xiàn)狀;