誰走在半導(dǎo)體工藝制程的前列

在摩爾定律推動下，工藝技術(shù)的縮微沒有停止，基本上每兩年一個臺階，今年可達(dá)32納米(注釋，通常指微處理器的量產(chǎn)還要推遲幾個季度) 。其實走在縮微制程最前面的是NAND閃存。

據(jù)IMFlash報道， 已于2008年11月時實現(xiàn)34納米的32G NAND閃存量產(chǎn)。今年7月21日報道80G的MLC SSD(固態(tài)硬盤)價格已由595美元下降到225美元，及160G MLC SSD的價格由945美元下降到440美元。

目前32納米工藝制程采用193納米浸入式光刻機，盡管工藝復(fù)雜，成本高，大多還是要用雙重圖形曝光技術(shù)。估計下一個22納米接點時，光學(xué)光刻方法可能已走到盡頭，EUV、電子束直接曝光等都有可能浮現(xiàn)。但是摩爾定律即將終止，技術(shù)已近極限，所以經(jīng)濟上的矛盾會逐漸突顯。

下圖為目前全球芯片制造商(不計代工)的工藝技術(shù)現(xiàn)狀;