半導體制造技術相關國際會議“IEDM2009”開幕的前一天2009年12月6日，舉行了兩場簡短講座（ShortCourse）。一場以半導體細微化《ScalingChallenges：DeviceArchitectures，NewMaterials，andProcessTechnologies》為焦點，另一場以低功耗化《LowPower/LowEnergyCircuits：FromDevicetoSystemAspects》為中心。
在關于微細化的講座中，美國IBMResearchDivision的GhavamG。Shahidi以《DeviceArchitecture：UltimatePlanarCMOSLimitandSub-32nmDeviceOptions》為題發(fā)表了演講。他預測，元器件的標度（Scaling）“今后將為15nm、11nm，甚至更小”。同時還指出，肩負這一任務的還是硅，也就是說“硅本身可以標度到11nm以下”。不過，為此“需要大幅改變現(xiàn)有元件的架構。必須全面導入完全空乏型晶體管。具體指需要采用FinFET、ETSOI（極薄SOI）以及納米線”（G。Shahidi）。從電力密度的觀點來看，屆時硅晶體管電壓“有可能穩(wěn)定在0。6V前后”（G。Shahidi）。并且，G。Shahidi還表示，為了實現(xiàn)超過硅發(fā)展趨勢的頻率以及更低的功耗，還有采用更高遷移率底板的方法。
G。Shahidi預測，到15nm和11nm工藝后，“元器件性能不會因細微化而大幅提高”。這是相比于32nm和22nm等工藝的結(jié)果。在15nm和11nm工藝中，“通過推進晶體管的柵極長度、寬度和電壓標度，每代工藝工作時的能耗都會降低”（G。Shahidi）。
G。Shahidi稱，每枚半導體芯片的元件數(shù)量在今后10年內(nèi)將會急劇增大。“具備500億～1000億個元件的芯片問世已為期不遠”（G。Shahidi）。
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