好事多磨 臺(tái)積電28nm技術(shù)再次推遲

臺(tái)積電作為全球最大的集成電路制造公司，其工藝進(jìn)展情況關(guān)系到無(wú)數(shù)半導(dǎo)體企業(yè)的產(chǎn)品發(fā)布時(shí)間和計(jì)劃。但前段時(shí)間，臺(tái)積電兩位高管發(fā)表的聲明，備受關(guān)注的28nm工藝再次推遲。

臺(tái)積電CEO兼董事會(huì)主席張忠謀近日表示：“我們已經(jīng)使用28nm工藝完成了89件不同產(chǎn)品的流片，每一個(gè)都按期實(shí)現(xiàn)。每次流片的首批硅片都擁有完整的功能，良品率也令人滿意……不過(guò)因?yàn)?011年的經(jīng)濟(jì)形勢(shì)和市場(chǎng)需求前景軟化，28nm的投產(chǎn)所需時(shí)間比預(yù)期得更長(zhǎng)。”

臺(tái)積電CFO、高級(jí)副總裁何麗梅的說(shuō)法也很相似：“28nm的推遲并非是因?yàn)橘|(zhì)量問(wèn)題，流片情況良好。推遲主要是因?yàn)槲覀兊目蛻艚?jīng)濟(jì)軟化，并非在計(jì)劃之中。28nm工藝今年第四季度在晶圓總收入中貢獻(xiàn)的比例大約為1%。”

據(jù)了解，臺(tái)積電一共開發(fā)了四種不同用途的28nm工藝，CLN28HPHKMG面向高性能產(chǎn)品、CLN28HPMHKMG面向移動(dòng)計(jì)算產(chǎn)品、CLN28HPLHKMG面向低漏電率低功耗產(chǎn)品、CLN28LPSION面向低成本產(chǎn)品。其中前三項(xiàng)技術(shù)將采用High-k金屬柵極技術(shù)，這項(xiàng)技術(shù)將有利于減少晶體管的漏電現(xiàn)象，降低芯片產(chǎn)品的功耗和發(fā)熱并有助于提升頻率。而代號(hào)為CLN28LPSION的低端產(chǎn)品則仍將采用傳統(tǒng)的氮氧化硅(SiON)電介質(zhì)+多晶硅柵極進(jìn)行制造，使之制造成本更加低廉。

雖然兩位高管均表示28nm技術(shù)良率令人滿意，但這一技術(shù)的一再推遲還是另眾多廠商如坐針氈。去年，由于40nm工藝的良率一直不能令人滿意，很多芯片廠商的毛利率和產(chǎn)品發(fā)布都受到了不同程度的影響，但愿這一情況不會(huì)在28nm工藝上重演，這對(duì)于參與流片的89個(gè)芯片產(chǎn)品以及持觀望態(tài)度的其他廠家來(lái)說(shuō)非常重要。