英飛凌以300mm薄晶圓產(chǎn)出首款功率半導(dǎo)體晶片

英飛凌科技(Infineon Technologies)宣布已于奧地利菲拉赫(Villach)據(jù)點生產(chǎn)出首款 300mm (12寸)薄晶圓之功率半導(dǎo)體晶片(first silicon)，成為全球首家進一步成功采用此技術(shù)的公司。采用300mm薄晶圓生產(chǎn)之晶片的功能特性，與以200mm晶圓制造之功率半導(dǎo)體相同，已成功通過在高壓應(yīng)用產(chǎn)品中使用金氧半導(dǎo)體場效電晶體(MOSFET)的應(yīng)用測試證明。

在電晶體發(fā)明 55 年之后，英飛凌以革命性 CoolMOS 電晶體技術(shù)，榮獲 2002 年德國工業(yè)創(chuàng)新大獎 (German Industry’s Innovation Award)。高壓電晶體，已在眾多應(yīng)用領(lǐng)域提升能源效率，如 PC 電源供應(yīng)器、伺服器、太陽能電源轉(zhuǎn)換器、照明與電信系統(tǒng)。這些節(jié)能晶片目前也是消費性電子裝置的必要元件，如平面電視和游樂器。使用能源、節(jié)約能源且不失效率，已成為所有用電產(chǎn)業(yè)與家庭應(yīng)用的首要需求。英飛凌的節(jié)能半導(dǎo)體解決方案，可節(jié)省高達 25% 的全球電力消耗。

2010 年 10 月，英飛凌已在奧地利菲拉赫著手設(shè)立 300 mm晶圓及薄晶圓技術(shù)的功率半導(dǎo)體前導(dǎo)生產(chǎn)線。目前該團隊擁有 50 名工程師和物理學家，來自研究、開發(fā)、制造技術(shù)及市場行銷等各個領(lǐng)域。首顆 300 mm 下線晶片，是英飛凌持續(xù)成功制造節(jié)能產(chǎn)品專用之功率半導(dǎo)體的推手。根據(jù) IMS Research 于今年 8 月提出的研究報告，英飛凌在 2010 年仍位居全球功率半導(dǎo)體市場龍頭，并已連續(xù)第 8 年獲此殊榮。