GLOBALFOUNDRIES Fab 8實(shí)現(xiàn)20納米的3D芯片堆疊

21ic訊 GLOBALFOUNDRIES日前宣布，在為新一代移動(dòng)和消費(fèi)電子應(yīng)用實(shí)現(xiàn)3D芯片堆疊的道路上，公司達(dá)到了一個(gè)重要的里程碑。在其位于美國(guó)紐約薩拉托加郡的Fab 8，GLOBALFOUNDRIES已開(kāi)始安裝一套可在尖端20納米技術(shù)平臺(tái)上的半導(dǎo)體晶圓中構(gòu)建硅通孔(TSV)的特殊生產(chǎn)工具。此舉將使客戶能夠?qū)崿F(xiàn)多個(gè)芯片的堆疊，從而為滿足未來(lái)電子設(shè)備的高端要求提供了一條新的渠道。

TSV，即在硅中刻蝕豎直孔徑，并以銅填充，從而在垂直堆疊的集成電路之間實(shí)現(xiàn)導(dǎo)通。例如，該技術(shù)允許電路設(shè)計(jì)人員將存儲(chǔ)器芯片堆疊于應(yīng)用處理器之上，在實(shí)現(xiàn)存儲(chǔ)器帶寬大幅提高的同時(shí)降低功耗，從而解決了智能手機(jī)和平板電腦等新一代移動(dòng)設(shè)備設(shè)計(jì)中的這一重大難題。

在尖端工藝節(jié)點(diǎn)上采用集成電路3D堆疊技術(shù)如今已日益被視為傳統(tǒng)的在晶體管級(jí)上采用技術(shù)節(jié)點(diǎn)進(jìn)行等比例縮小的替代方案。然而，隨著新的封裝技術(shù)的出現(xiàn)，芯片與封裝交互的復(fù)雜性顯著提高，晶圓代工廠及其合作伙伴越來(lái)越難以提供“端到端”的解決方案來(lái)滿足眾多尖端設(shè)計(jì)的要求。

GLOBALFOUNDRIES首席技術(shù)官Gregg Bartlett表示：“為了幫助解決上述在新的硅工藝節(jié)點(diǎn)上的挑戰(zhàn)，我們很早就已開(kāi)始與合作伙伴共同開(kāi)發(fā)能夠支持半導(dǎo)體行業(yè)下一波創(chuàng)新的封裝解決方案。通過(guò)采用廣泛合作的方法，我們能夠給予客戶最大的選擇權(quán)和靈活性，同時(shí)致力于節(jié)省成本、加快量產(chǎn)時(shí)間，并降低新技術(shù)開(kāi)發(fā)的相關(guān)技術(shù)風(fēng)險(xiǎn)。在Fab 8中安裝20nm技術(shù)的TSV工具將令GLOBALFOUNDRIES新增一個(gè)重要能力，從設(shè)計(jì)到組裝和測(cè)試，今后我們?cè)谂c半導(dǎo)體生態(tài)系統(tǒng)中的眾多公司在研發(fā)與制造上的合作都將因此受益。”

GLOBALFOUNDRIES最新的Fab 8既是世界上技術(shù)最先進(jìn)的晶圓代工廠之一，也是美國(guó)規(guī)模最大的尖端半導(dǎo)體代工廠。該工廠專(zhuān)注于32/28nm及更小尺寸的尖端制造，20nm技術(shù)研發(fā)正在順利進(jìn)行中。采用TSV的首顆全流芯片預(yù)計(jì)將于2012年第三季度在Fab 8開(kāi)始生產(chǎn)。