從供給面來看,SK海力士無錫廠9月份火災后,SK海力士與三星分別將30%與5%不等的NAND Flash產(chǎn)能轉(zhuǎn)往DRAM,讓整體第3季與第4季的NAND Flash產(chǎn)出下降,因此2013年的產(chǎn)出位元年增率(bit growth),從40.8%再度下修至40.3%。
但NAND Flash前景不佳最大的因素,依舊來自于第4季整體需求的疲軟,優(yōu)盤市場受限于USB 3.0滲透率不佳的因素,影響消費者采購需求,而記憶卡的需求也并未因主要領(lǐng)導品牌大打價格戰(zhàn)的利多刺激而有所提升。
在系統(tǒng)產(chǎn)品上,由于第4季全球經(jīng)濟景氣復蘇腳步停滯,智能型手機與平板計算機廠商對于第4季傳統(tǒng)歐美地區(qū)的感恩節(jié)與圣誕節(jié)銷售旺季預期轉(zhuǎn)趨保守,紛紛下修年度出貨目標,加上廠商庫存水位依舊偏高,因此來自于系統(tǒng)產(chǎn)品的需求也不如預期。
綜合供給與需求面向分析,集邦科技認為11月上旬NAND Flash合約價仍持續(xù)下跌。
展望后市,由于第4季需求表現(xiàn)不佳,以及受到明年第1季傳統(tǒng)淡季影響,成長動能有限,導致NAND Flash合約價至今年年底前,恐仍將維持下跌走勢。