宜特研發(fā)出MEMS G-Sensor失效分析標準流程
[導(dǎo)讀]為了降低企業(yè)投入 MEMS 開發(fā)時面臨 失效等挑戰(zhàn)，宜特(iST)宣布成功建構(gòu)出 MEMS G-Sensor 的標準失效分析流程。宜特指出，該流程已經(jīng)被許多公司實際采用，在全臺開發(fā) MEMS G-sensor 的公司中，約有九成采用該流程解決
為了降低企業(yè)投入 MEMS 開發(fā)時面臨 失效等挑戰(zhàn)，宜特(iST)宣布成功建構(gòu)出 MEMS G-Sensor 的標準失效分析流程。宜特指出，該流程已經(jīng)被許多公司實際采用，在全臺開發(fā) MEMS G-sensor 的公司中，約有九成采用該流程解決失效問題。
iST獨家研發(fā)的 MEMS G-Sensor 失效分析標準流程，已經(jīng)通過全球電子元件檢測失效分析技術(shù)研討會－ISTFA的認可，并成為首家擁有 MEMS 研究團隊的實驗室。
iST觀察發(fā)現(xiàn)，許多公司欲了解MEMS元件的失效狀況時，由于對其結(jié)構(gòu)的認知度、掌握度不夠，因此以傳統(tǒng)方式做開蓋(De-cap)觀察，容易造成元件污染。 此外，由于元件為懸浮結(jié)構(gòu)，以外力移除時易產(chǎn)生毀損。在兩造影響下易于造成元件污染和應(yīng)力破壞，不但沒有找出真因，反而制造更多失效盲點。
為了克服此問題，iST成功開發(fā)出 MEMS 無污染的 De-cap 技術(shù)，結(jié)合無應(yīng)力的元件移除技術(shù)，以非破壞方式保留結(jié)構(gòu)原貌，避開機械應(yīng)力和污染產(chǎn)生的非真因失效。目前已幫助三十多家 MEMS 設(shè)計、制造與封裝企業(yè)，對癥下藥地找出失效點并成功改善，搶攻市場先機。
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