更快：15納米制程N(yùn)AND閃存芯片即將量產(chǎn)

東芝和SanDisk公司共同開發(fā)并即將量產(chǎn)世界上第一批15納米制程技術(shù)的NAND閃存芯片，數(shù)據(jù)傳輸率比前代19納米制程快1.3倍，將廣泛應(yīng)用在智能手機(jī)和平板電腦領(lǐng)域。對(duì)用戶來說，低成本結(jié)構(gòu)的殺傷力不容小覷。

東芝還表示將會(huì)于四月末在日本四日市進(jìn)行生產(chǎn)，這將是世界上第一批15納米制程的NADA閃存芯片，超越前代19納米制程工藝。

在15納米制程技術(shù)將被應(yīng)用到128千兆位(16GB)NAND閃存，每單元有兩個(gè)比特位，東芝表示。處理技術(shù)的關(guān)鍵在于制造芯片的方法和芯片的大小。

NAND閃存斷電之后仍然可以保存數(shù)據(jù)的存儲(chǔ)介質(zhì)。由于通過使用高速接口新的芯片可將數(shù)據(jù)傳輸速率提升到533 Mbps，這比19納米制程技術(shù)快1.3倍。

SanDisk公司在另一項(xiàng)聲明中表示，該技術(shù)將作為1Z-nm工藝的一個(gè)節(jié)點(diǎn)，直接推動(dòng)它號(hào)稱是世界上最小，最具成本效益的128千兆芯片的研發(fā)和生產(chǎn)。

“我們的15納米技術(shù)將廣泛的應(yīng)用于各種解決方案，包括可移動(dòng)存儲(chǔ)卡，也包括企業(yè)固態(tài)硬盤，”SanDisk發(fā)言人在一封電子郵件中說。

SanDisk于2011年宣布推出采用全球領(lǐng)先的19納米存儲(chǔ)制造工藝并，并于2011年下半年開始量產(chǎn)。每一代的存儲(chǔ)芯片采用了包括先進(jìn)的工藝創(chuàng)新和單元設(shè)計(jì)解決方案在內(nèi)的、時(shí)下最先進(jìn)的閃存技術(shù)制造工藝。