聯(lián)電28納米接單大躍進(jìn) 快速追趕臺(tái)積電

聯(lián)電28納米接單大躍進(jìn)，獲聯(lián)發(fā)科追單，本季末放量，下半年將導(dǎo)入高通及博通二大客戶，成為挹注營(yíng)運(yùn)成長(zhǎng)一大動(dòng)能。目前全球晶圓代工業(yè)28納米由臺(tái)積電獨(dú)霸，聯(lián)電正快速追趕，縮短晶圓雙雄之間的差距。

聯(lián)電訂本周三(30日)舉行法說(shuō)會(huì)，有望釋出28納米接單報(bào)捷訊息。法人預(yù)估，聯(lián)電本季訂單將強(qiáng)勁成長(zhǎng)，單季合并營(yíng)收增幅可達(dá)二位數(shù)。外資巴克萊為此調(diào)高聯(lián)電目標(biāo)價(jià)至15元;高盛也上修至12.5 元，態(tài)度翻多。

聯(lián)電高層表示，先前28納米制程進(jìn)度落后，但近期相關(guān)制程接單已逐步上軌道，今年確定會(huì)對(duì)營(yíng)收挹注相當(dāng)大。

聯(lián)電高層透露，旗下28納米率先推出的低功耗多晶矽氮氧化矽(Poly Sion)制程，因良率提升，已獲聯(lián)發(fā)科追單，6 月將放量投片，第3季產(chǎn)出。

聯(lián)電承接先進(jìn)網(wǎng)通及高階手機(jī)芯片的關(guān)鍵28納米高介電常數(shù)金屬閘極(HKMG)制程在良率提升帶動(dòng)下，接單也傳出佳音，業(yè)界傳出，聯(lián)電相關(guān)制程已相繼獲高通和博通認(rèn)證。

聯(lián)電表示，28納米HKMG制程今年下半年即可導(dǎo)入客戶量產(chǎn)，但無(wú)法透露導(dǎo)入客戶細(xì)節(jié)。業(yè)界認(rèn)為，聯(lián)電是全球第二家提供Gate-Last技術(shù)的晶圓代工廠，其良率大幅提升，可有效分散現(xiàn)階段業(yè)界28納米訂單排隊(duì)窘境，成為主要芯片大廠第二代工來(lái)源。

法人指出，聯(lián)電去年已建置28納米HKMG約1.5萬(wàn)片月產(chǎn)能，隨良率與接單傳出喜訊，短期雖仍難撼動(dòng)臺(tái)積電在28納米的領(lǐng)先優(yōu)勢(shì)，對(duì)聯(lián)電卻意義重大，下半年?duì)I運(yùn)動(dòng)能看俏。