擴產(chǎn)能/制程升級，華邦再升今年CAPEX至106億

記憶體廠商華邦電(2344)于今(25)日召開法說會，繼日前預估今年資本支出CAPEX相較于去年的21億元，將大幅拉高至86億元后，今日則是再宣布，要將今年資本支出調(diào)高至106億元之譜。對此總經(jīng)理詹東義(見附圖)指出，此次調(diào)高資本支出，主要是華邦電希望同時進行往4X奈米先進制程的升級，以及擴充目前吃緊的產(chǎn)能。預期今年底前，華邦電的月產(chǎn)能將從去年底的3.3萬片，增加到4萬片的水準。

華邦電于上回法說會上才宣布，去年資本支出為21億元，但因產(chǎn)能不足，公司計劃今年資本支出將大幅提升至86億元，預計月產(chǎn)能將由3.3萬片增加到3.8萬片的水準，今日則是經(jīng)董事會通過，要再加碼今年的資本支出。

詹東義說明，今年華邦資本支出大增的原因，并非像很多業(yè)者，可能是希望搭上海力士大火的順風車來擴建產(chǎn)能、搶短線需求，而是由于華邦實在看到很多市場的機會，盼能在DRAM、Flash都推出更廣泛的產(chǎn)品線來掌握這些機會，因此決定拉高資本支出，同時升級產(chǎn)能與制程。

相對于南科(2408)宣布已轉(zhuǎn)進3X奈米制程，詹東義指出，南科主攻大容量的DRAM，華邦電則是切入中低容量DRAM的市場，因此制程可以比其慢一個世代。而今年的資本支出，主要是用于將DRAM制程轉(zhuǎn)進4X奈米、Flash則轉(zhuǎn)進58奈米等制程的升級工作，冀紓解現(xiàn)有產(chǎn)能吃緊的窘境。

他強調(diào)，華邦走的路將不同于其他臺灣同業(yè)，不是一味的強調(diào)制程微縮，而是強調(diào)某些特殊產(chǎn)品的功耗與性能。

在產(chǎn)品結構部分，華邦電今年Q1 Specialty DRAM占營收比重52%，季成長為6%、年成長35%，主因網(wǎng)通、硬碟產(chǎn)品出貨增加，且產(chǎn)品均價隨著記憶體市況漸趨健康而小幅上揚。Mobile DRAM今年Q1則占華邦營收比重12%，季成長17%、年增4%，主要是受益于46奈米制程產(chǎn)品營收貢獻增加，以及華邦于512Mb及1Gb的Low Power DDR1出貨增加。

而在NOR Flash部分，今年Q1營收占比為36%，與前季持平、年增2%。華邦表示，主要是此部分市場價格競爭狀況雖持續(xù)，但已有減緩跡象，且華邦于高密度產(chǎn)品的出貨增加，因此表現(xiàn)相對持穩(wěn)。

值得注意的是，在上述三大產(chǎn)品線，華邦往先進制程的轉(zhuǎn)移工作也鴨子劃水、持續(xù)綻放成果。其中，Q1 Specialty DRAM已有53%的營收比重屬于46奈米制程，Mobile DRAM更有60%的營收比重來自46奈米制程，而Flash Memory亦有53%的營收比重來自58奈米制程。