內(nèi)存技術(shù)更新至少還得再等十年

很少人會想到 NAND快閃內(nèi)存已經(jīng)快要消失在地平在線、即將被某種新技術(shù)取代，筆者最近參加了一場IBM/Texas Memory Systems關(guān)于閃存儲存系統(tǒng)的電話會議，聽到不少儲存系統(tǒng)專家試圖把對話導(dǎo)引到IBM在下一代內(nèi)存技術(shù)的規(guī)劃上，于是很驚訝地發(fā)現(xiàn)這些人居然都認(rèn)為 NAND閃存很快就會被新內(nèi)存技術(shù)取代。

筆者在去年7月的HotChips大會上曾經(jīng)做過一場簡報，指出閃存在未來十年將會是主流內(nèi)存技術(shù)；而現(xiàn)在該產(chǎn)業(yè)才剛進入SanDisk所說的 “1Ynm”世代，接著還將邁入“1Znm”世代。SanDisk認(rèn)為，在”1Znm”之后，平面內(nèi)存將式微，我們將進入3D內(nèi)存的時代；其他 NAND閃存制造大廠也有類似的預(yù)測。

不過有鑒于這個產(chǎn)業(yè)的運作模式，在”1Znm”世代之后，若出現(xiàn)另一條延續(xù)平面內(nèi)存生命的新途徑也不足為奇；因此如果以每個內(nèi)存世代兩年生命周期來計算，平面閃存應(yīng)該還能存活4~6年。在那之后，我們則將會擁有3D NAND閃存技術(shù)。

雖然三星(Samsung)在去年8月宣布開始量產(chǎn)3D結(jié)構(gòu)的V-NAND閃存，但該產(chǎn)品的稀有性意味著它還沒準(zhǔn)備好取代平面內(nèi)存的地位；筆者猜測，3D內(nèi)存技術(shù)到2017年以前應(yīng)該都還不會真正的大量生產(chǎn)。

今日大多數(shù)廠商都預(yù)期3D內(nèi)存在式微之前也會經(jīng)歷三個世代，因此同樣以兩年一個世代來計算，NAND閃存技術(shù)應(yīng)該在4~6年之后，還會有另外一個6年的生命；所以在內(nèi)存產(chǎn)業(yè)真的需要新技術(shù)來驅(qū)動產(chǎn)品價格下降那時，應(yīng)該已經(jīng)是10~12年之后了。

我的意思并不是其他內(nèi)存技術(shù)有什么不對，只是目前尚未有足夠的力量讓它們的價格能比 NAND閃存更低廉；而且在 NAND閃存到達制程微縮極限之前，也沒有其他的動能可以改變現(xiàn)在的狀況。無論如何，要達到最低的成本、總是要有最大的產(chǎn)量，NAND閃存與DRAM目前就是比其他任何一種內(nèi)存技術(shù)更便宜的方案。