三星與ST簽署戰(zhàn)略協(xié)議 擴(kuò)大28納米FD-SOI技術(shù)生態(tài)系統(tǒng)

橫跨多重電子應(yīng)用領(lǐng)域、全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體供應(yīng)商意法半導(dǎo)體（STMicroelectronics，簡(jiǎn)稱ST）和全球先進(jìn)半導(dǎo)體解決方案提供商三星電子株式會(huì)社今天簽署了28納米全耗盡型絕緣層上硅(FD-SOI)技術(shù)多資源制造全方位合作協(xié)議。

該技術(shù)特許協(xié)議授權(quán)三星利用其現(xiàn)代化的300mm晶圓制造廠為客戶提供先進(jìn)的芯片制造解決方案，確保半導(dǎo)體工業(yè)能夠在芯片量產(chǎn)中利用意法半導(dǎo)體的FD-SOI技術(shù)。28納米 FD-SOI技術(shù)可制造速度更快、散熱更好、工序更簡(jiǎn)單的半導(dǎo)體器件，滿足移動(dòng)和消費(fèi)電子等下一代電子產(chǎn)品市場(chǎng)對(duì)更高性能和更低功耗的系統(tǒng)芯片的日益增長(zhǎng)的需求。

該28納米FD-SOI技術(shù)合作協(xié)議內(nèi)容包括意法半導(dǎo)體成熟的制造工藝和設(shè)計(jì)支持生態(tài)系統(tǒng)。意法半導(dǎo)體已完成了28納米 FD-SOI技術(shù)的性能、功耗和簡(jiǎn)易性的驗(yàn)證測(cè)試，繼續(xù)吸引更多廠商采用這項(xiàng)技術(shù)設(shè)計(jì)芯片，使其保持持續(xù)增長(zhǎng)的態(tài)勢(shì)。該協(xié)議是對(duì)意法半導(dǎo)體在法國(guó)Crolles的300mm晶圓廠的28納米 FD-SOI產(chǎn)能的有益補(bǔ)充，為選購(gòu)28納米 FD-SOI產(chǎn)品的客戶提供了多貨源選擇機(jī)會(huì)，同時(shí)還為客戶帶來(lái)三星和意法半導(dǎo)體在大規(guī)模制造技術(shù)方面的豐富經(jīng)驗(yàn)和全面技術(shù)。預(yù)計(jì)三星28納米 FD-SOI制造工藝將于2015年初完成量產(chǎn)認(rèn)證測(cè)試。

意法半導(dǎo)體首席運(yùn)營(yíng)官Jean-Marc Chery表示：“以三星和意法半導(dǎo)體在國(guó)際半導(dǎo)體研發(fā)聯(lián)盟框架內(nèi)建立的穩(wěn)定的合作關(guān)系為基礎(chǔ)，該協(xié)議將雙方的合作范圍擴(kuò)展至28納米 FD-SOI技術(shù)，同時(shí)還擴(kuò)大了產(chǎn)業(yè)生態(tài)系統(tǒng)和意法半導(dǎo)體及整個(gè)電子工業(yè)的產(chǎn)能。近幾個(gè)季度，我們的嵌入式處理解決方案部與多名客戶簽訂了多項(xiàng)技術(shù)合作項(xiàng)目，28納米 FD-SOI業(yè)務(wù)呈持續(xù)增長(zhǎng)態(tài)勢(shì)，該協(xié)議的簽訂證實(shí)并進(jìn)一步擴(kuò)大了這項(xiàng)技術(shù)取得的成功。我們預(yù)測(cè) 28納米 FD-SOI技術(shù)生態(tài)系統(tǒng)將會(huì)進(jìn)一步擴(kuò)大，覆蓋到主要的EDA和IP供應(yīng)商，28納米 FD-SOI產(chǎn)品系列因而將會(huì)變得更加豐富?！?/p>

三星系統(tǒng)LSI業(yè)務(wù)部執(zhí)行副總裁Seh-Woong Jeong表示：“我們榮幸地宣布這一28納米 FD-SOI合作項(xiàng)目。對(duì)于想要更高性能和能效而沒(méi)有必要遷移到20納米的客戶，這是一個(gè)理想的解決方案。28納米制造工藝的生產(chǎn)效率很高，基于成熟的制造設(shè)施，具有很長(zhǎng)的生命周期。通過(guò)在現(xiàn)有技術(shù)組合內(nèi)增加FD-SOI，我們將為客戶提供種類齊全的28納米產(chǎn)品?！?/p>

技術(shù)說(shuō)明:STRONG>

FD-SOI技術(shù)是意法半導(dǎo)體、CEA-Leti、Soitec等企業(yè)和研發(fā)中心組成的法國(guó)格勒諾布爾技術(shù)集群歷經(jīng)多年合作的研發(fā)成果，特別適用于對(duì)能效、性能和成本都有較高要求的廠商。這項(xiàng)制造工藝有效地?cái)U(kuò)展了摩爾定律[1]適用范圍，是傳統(tǒng)平面半導(dǎo)體制造工藝的一次演進(jìn)升級(jí)。不同于其它的制造工藝，F(xiàn)D-SOI準(zhǔn)許廠商繼續(xù)使用現(xiàn)有的設(shè)計(jì)流程、各種電子設(shè)計(jì)自動(dòng)化軟件和現(xiàn)有制造設(shè)備。在保護(hù)現(xiàn)有制造設(shè)備投資的同時(shí)，意法半導(dǎo)體的FD-SOI技術(shù)[2]還完美地解決了高性能和低工作溫度之間的矛盾。除準(zhǔn)許沿用現(xiàn)有設(shè)計(jì)流程和制造設(shè)施的優(yōu)勢(shì)外，這項(xiàng)技術(shù)還將大幅降低制造工藝的復(fù)雜性。

[1] Gordon E. Moore在1965年發(fā)表的論文 ( "Cramming more components onto integrated circuits," Electronics Magazine) 中提出芯片上集成的晶體管數(shù)量每?jī)赡暝黾哟蠹s一倍。

[2]意法半導(dǎo)體開(kāi)發(fā)并商用了超薄埋氧層(UTBB) FD-SOI技術(shù)， Thomas Skotnicki、Franck Arnaud和Olivier Faynot在2012 paper論文中詳細(xì)介紹了這項(xiàng)技術(shù)的優(yōu)點(diǎn)。.