三柵極3D晶體管，無(wú)法左右英特爾ARM之爭(zhēng)

摘要：  。英特爾 VS AMD就是熱議多年的話題，然后又變成微軟 VS 谷歌?，F(xiàn)在最有趣的一對(duì)是英特爾 VS ARM。英特爾發(fā)布三柵極3D晶體管之后，關(guān)于該技術(shù)能否左右二者之間的戰(zhàn)局業(yè)界已有很多評(píng)論文章。

關(guān)鍵字：  英特爾，  三柵極晶體管，  芯片

公司之間的紛爭(zhēng)有其獨(dú)特的魅力。英特爾 VS AMD就是熱議多年的話題，然后又變成微軟 VS 谷歌?，F(xiàn)在最有趣的一對(duì)是英特爾 VS ARM。英特爾發(fā)布三柵極3D晶體管之后，關(guān)于該技術(shù)能否左右二者之間的戰(zhàn)局業(yè)界已有很多評(píng)論文章。

目前看來(lái)，ARM似乎肯定會(huì)采用平面的22nm工藝，而英特爾則會(huì)采用Tri-Gate三柵極3D晶體管。要評(píng)判三柵極晶體管能否為英特爾提供顯著優(yōu)勢(shì)，先得回答一些問(wèn)題：

·英特爾稱22nm三柵極晶體管功耗比自己的32nm平面晶體管低50%。但22nm三柵極晶體管與22nm平面晶體管的功耗差異有多大呢?

·采用22nm三柵極晶體管之后，芯片能比采用22nm平面晶體管節(jié)省多少功耗?10%，30%，還是50%?

這些都不難估算，我們來(lái)做個(gè)測(cè)試。

晶體管級(jí)的計(jì)算

圖1.英特爾新聞發(fā)布會(huì)上展示的晶體管I-V特性數(shù)值

英特爾在自己的新聞發(fā)布會(huì)上展示了一些具體的晶體管I-V曲線。這些曲線在圖1經(jīng)過(guò)重制。根據(jù)這些數(shù)據(jù)你可以得到圖2中的信息。你會(huì)注意到22nm 三柵極晶體管的電源電壓能夠比32nm平面晶體管低50%，但只比22nm平面晶體管低19%。

圖2.三柵極晶體管和平面晶體管的晶體管級(jí)對(duì)比