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[導讀]【導讀】到2012年第三季度,高通將會把28nm工藝帶入到中端產品方面,分別會有8230和8930兩款中端產品問世,采用1.0-1.2GHz雙核Krait架構,內置1MB二級緩存和533MHz LPDDR2內存,配有Adreno 305 GPU,兩款產品均支持T

【導讀】到2012年第三季度,高通將會把28nm工藝帶入到中端產品方面,分別會有8230和8930兩款中端產品問世,采用1.0-1.2GHz雙核Krait架構,內置1MB二級緩存和533MHz LPDDR2內存,配有Adreno 305 GPU,兩款產品均支持TD-SCDMA網絡。

摘要:  到2012年第三季度,高通將會把28nm工藝帶入到中端產品方面,分別會有8230和8930兩款中端產品問世,采用1.0-1.2GHz雙核Krait架構,內置1MB二級緩存和533MHz LPDDR2內存,配有Adreno 305 GPU,兩款產品均支持TD-SCDMA網絡。

關鍵字:  高通,  Krait,  MSM8270,  Snapdragon,  28nm

早在4月份我們曾經偷看過高通的一份簡報,知道了他們基于Krait微架構的MSM8930、MSM8960、APQ8064和一款尚未發(fā)布的MSM8270等處理器新品,現(xiàn)在又有一份關于下一代Snapdragon芯片的路線圖曝光。在這次曝光的路線圖中,可以看到高通今后兩年的處理器產品計劃,包括時間、型號、主頻、內存、網絡支持等等細節(jié),展示了他們手機處理器產品從入門級到高端機的計劃。

全面進軍28nm 高通路線圖曝光

首先是高端和中端產品方面,除了在產的8260、8255、7230、8250之外,高通將會在今年第四季度陸續(xù)推出三款新品,分別是8960、8270、8260A,均為28nm工藝,采用雙核Krait架構,主頻為1.5至1.7GHz,擁有1MB二級緩存和2×500MHz LPDDR2雙通道內存,內置Adreno 225 GPU,其中8960將支持LTE、TD-SCDMA網絡,8270支持DC-HSPA網絡,8260A兼容HSPA+和TD-SCDMA。

到2012年第三季度,高通將會把28nm工藝帶入到中端產品方面,分別會有8230和8930兩款中端產品問世,采用1.0-1.2GHz雙核Krait架構,內置1MB二級緩存和533MHz LPDDR2內存,配有Adreno 305 GPU,兩款產品均支持TD-SCDMA網絡。

再向后看,高通將會在2013年推出一款四核新品8974,主頻升至2.0-2.5GHz,內置2MB二級緩存和667/800MHz LPDDR3雙通道內存,配有Adreno 320 GPU,支持LTE、DC-HSPA+、TD-SCDMA網絡。

低端產品方面,他們還將會推出800MHz主頻的7227A,并將在2012年第三季度推出一款28nm工藝雙核架構的低端利器8228,不過這款產品目前還沒有敲定。

全面進軍28nm 高通<strong>路線圖</strong>曝光

入門級產品中,高通將會把7225升級到使用45nm工藝的7225A,采用600MHz A5架構,擁有256KB二級緩存,預計今年第三季度即可問世。

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