高鐵、太陽能、家電搶貨 IGBT供貨緊張延至年底

【導(dǎo)讀】經(jīng)濟(jì)復(fù)蘇帶動(dòng)工業(yè)與消費(fèi)電子的需求增長，以及中國政府推出的經(jīng)濟(jì)刺激政策，不斷推動(dòng)IGBT銷售額成倍增長。在消費(fèi)方面，IGBT用于家用電器、相機(jī)和手電。IHS公司預(yù)測(cè)，未來四年消費(fèi)應(yīng)用領(lǐng)域的IGBT的復(fù)合年度增長率將為15%。

摘要：  經(jīng)濟(jì)復(fù)蘇帶動(dòng)工業(yè)與消費(fèi)電子的需求增長，以及中國政府推出的經(jīng)濟(jì)刺激政策，不斷推動(dòng)IGBT銷售額成倍增長。在消費(fèi)方面，IGBT用于家用電器、相機(jī)和手電。IHS公司預(yù)測(cè)，未來四年消費(fèi)應(yīng)用領(lǐng)域的IGBT的復(fù)合年度增長率將為15%。

關(guān)鍵字：  高鐵，  光伏，  汽車，  IGBT，  家用電器，  MOSFET

隨著中國高鐵、地鐵、動(dòng)車、風(fēng)力發(fā)電、光伏發(fā)電、電動(dòng)/混合動(dòng)力汽車等領(lǐng)域的快速發(fā)展，市場(chǎng)對(duì)IGBT及其模塊的需求越來越大。據(jù)IHS iSuppli公司的研究，由于工業(yè)與消費(fèi)領(lǐng)域的需求增長，中國絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)市場(chǎng)未來幾年將快速增長，2014年銷售額將從2009年的4.297億美元上升到9.75億美元，增長一倍以上。

2009-2014年中國IGBT銷售額的復(fù)合年度增長率將達(dá)17.8%

來源(IHS iSuppli公司)

經(jīng)濟(jì)復(fù)蘇帶動(dòng)工業(yè)與消費(fèi)電子的需求增長，以及中國政府推出的經(jīng)濟(jì)刺激政策，不斷推動(dòng)IGBT銷售額成倍增長。在消費(fèi)方面，IGBT用于家用電器、相機(jī)和手電。IHS公司預(yù)測(cè)，未來四年消費(fèi)應(yīng)用領(lǐng)域的IGBT的復(fù)合年度增長率將為15%。

而在工業(yè)領(lǐng)域，作為功率晶體管的IGBT同時(shí)具備MOSFET和雙極結(jié)晶體管(BJT)的特性，因此多被用于如交通控制、功率變換器、工業(yè)電機(jī)、不間斷電源、風(fēng)電與太陽能設(shè)備，以及用于自動(dòng)控制的變頻器等多種工業(yè)應(yīng)用。IHS公司認(rèn)為，未來四年用于工業(yè)領(lǐng)域的IGBT的復(fù)合年度增長率將達(dá)20%。

不過，快速增長的市場(chǎng)需求為供應(yīng)商帶來了巨大壓力。高鐵、太陽能和風(fēng)能逆變器、電焊機(jī)、冰箱和空調(diào)等市場(chǎng)相互之間早已存在不同程度的搶貨現(xiàn)象，再加上主要IGBT供應(yīng)商三菱受日本地震影響產(chǎn)能減少，專家預(yù)計(jì)IGBT的供貨緊張情況將延續(xù)至年底。

分銷商和原廠看IGBT缺貨

由于日本廠商掌握著全球90%的硅晶圓原材料的供應(yīng)，日本地震使得大部分半導(dǎo)體器件產(chǎn)能都受到蠻大的影響，特別是IGBT全球缺貨情況比較嚴(yán)重，無論是東芝、三菱、ST、Vishay，還是英飛凌都不能滿足快速增長的市場(chǎng)供貨需求。

威雅利電子(集團(tuán))有限公司市場(chǎng)部總監(jiān)韓家振說：“目前我們的供應(yīng)商?hào)|芝和ST都交不出IGBT貨，一些型號(hào)的IGBT交貨周期高達(dá)幾十星期。Vishay和英飛凌也同樣交不出IGBT貨。因?yàn)槟壳敖^大部分生產(chǎn)出來IGBT貨都首先供應(yīng)給了利潤較高的中國高鐵市場(chǎng)，其它如太陽能和風(fēng)能逆變器、電焊機(jī)、冰箱和空調(diào)等家用電器市場(chǎng)都很難拿到IGBT貨。”

安富利電子元件區(qū)域總裁傅錦祥透露：“IGBT模組目前供應(yīng)非常緊張，需要配貨，主要原因是來自風(fēng)力發(fā)電、高鐵、地鐵等市場(chǎng)的需求急劇上升，其次是主要供應(yīng)商日本三菱因地震供不出貨來。”

不過，英飛凌市場(chǎng)部經(jīng)理Lisa Chen澄清說：“我們的IGBT的確目前還有供應(yīng)不足問題，但不是因?yàn)樨泝?yōu)先供應(yīng)給了高鐵市場(chǎng)，也不是因?yàn)槿毡镜卣穑钦麄€(gè)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈的前端供應(yīng)還沒有恢復(fù)正常，目前幾乎所有的半導(dǎo)體器件都有供應(yīng)不足的問題，而不僅僅是IGBT。”

五月底，英飛凌還推出了兩款新的600V逆導(dǎo)型(RC)IGBT。這兩款新的功率開關(guān)器件可在目標(biāo)應(yīng)用中實(shí)現(xiàn)最高達(dá)96%的能效。利用這些全新推出的RC-D快速IGBT，可以設(shè)計(jì)更高能效的電機(jī)驅(qū)動(dòng)家用電器，它們使用更小的組件，因而總成本低于同類系統(tǒng)。

英飛凌科技IGBT業(yè)務(wù)經(jīng)理Roland Stele表示：“這種單芯片集成了IGBT和二極管的技術(shù)，能夠滿足消費(fèi)者對(duì)高能效的要求，同時(shí)將逆變器的成本降低達(dá)10%，并將IGBT的占板空間最多縮小50%。有了英飛凌新推出的這些快速開關(guān)頻率器件，如果制造商把RC-D快速IGBT用于風(fēng)扇電機(jī)、壓縮機(jī)及其他基于逆變器的系統(tǒng)，將進(jìn)一步將電機(jī)逆變器的能效提高20%，并再度降低系統(tǒng)成本。”

據(jù)介紹，英飛凌將推出兩個(gè)型號(hào)的600V RC-D快速IGBT：一個(gè)是2.5A器件，最高可支持100W的逆變器輸出功率;另一個(gè)是4A器件，最高可支持200W的輸出功率。與RC-D家族的所有成員一樣，這兩款器件均采用外形尺寸為2.30mm x 6.50mm x 7.22mm的DPAK(TO-252)封裝。其他適用于這類型應(yīng)用的IGBT則通通采用了尺寸更大的D 2PAK(TO-263)或TO-220封裝(9mm x 10mm x 4.5mm)。

據(jù)悉，600V RC驅(qū)動(dòng)快速IGBT的工程樣片現(xiàn)已開始供貨，計(jì)劃今年夏天開始量產(chǎn)。