CMOS跨越砷化鎵雷池 進(jìn)軍PA

【導(dǎo)讀】傳統(tǒng)功率放大器（PA）均是以砷化鎵（GaAs）制作為主，CMOS多難跨越雷池一步。然而目前CMOS制程終于堂而皇之跨入功率放大器的領(lǐng)域之中，并陸續(xù)有相關(guān)廠商發(fā)表最新產(chǎn)品。專為無線應(yīng)用提供功率放大器技術(shù)的無晶圓半導(dǎo)體公司Black Sand也發(fā)表了最新的3G CMOS RF功率放大器產(chǎn)品線，預(yù)計(jì)將可大幅提高移動(dòng)電話、平板電腦和數(shù)據(jù)卡的可靠性和資料傳輸率。兩條產(chǎn)品線共包含六款涵蓋多個(gè)頻段的獨(dú)特功率放大

傳統(tǒng)￥功率放大器（PA）均是以砷化鎵（GaAs）制作為主，CMOS多難跨越雷池一步。然而目前CMOS制程終于堂而皇之跨入功率放大器的領(lǐng)域之中，并陸續(xù)有相關(guān)廠商發(fā)表最新產(chǎn)品。專為無線應(yīng)用提供功率放大器技術(shù)的無晶圓半導(dǎo)體公司Black Sand也發(fā)表了最新的3G CMOS RF功率放大器產(chǎn)品線，預(yù)計(jì)將可大幅提高移動(dòng)電話、平板電腦和數(shù)據(jù)卡的可靠性和資料傳輸率。兩條產(chǎn)品線共包含六款涵蓋多個(gè)頻段的獨(dú)特功率放大器。

Black Sand行銷副總裁Jim Nohrden表示，移動(dòng)裝置制造商正在尋找一項(xiàng)可替代砷化鎵功率放大器的技術(shù)，因該技術(shù)長(zhǎng)久以來具有供應(yīng)短缺和更高成本結(jié)構(gòu)的問題。透過CMOS制程，BST34和BST35產(chǎn)品讓客戶能迅速獲得其所需要的PA技術(shù)，以進(jìn)行超高量能制造。

Jim Nohrden說，該公司擁有大于現(xiàn)有GaAs功率放大器供應(yīng)商之結(jié)合的策略性供應(yīng)基礎(chǔ)，隨著市場(chǎng)持續(xù)采用3G移動(dòng)裝置，這項(xiàng)優(yōu)勢(shì)將被證明是至關(guān)重要的，因?yàn)槠銹A數(shù)量是2G手機(jī)的2至3倍。我們的產(chǎn)品將為客戶帶來更高效能，并于2011年提供更可靠的供應(yīng)來源。

Black Sand首款3G CMOS功率放大器產(chǎn)品中，BST34系列之功率放大器是專門設(shè)計(jì)來取代現(xiàn)有3G砷化鎵（GaAs）RF功率放大器的簡(jiǎn)易方案，因此功能與腳位與其完全相容。從砷化鎵轉(zhuǎn)移至CMOS可使移動(dòng)裝置制造商獲益于更可靠的供應(yīng)鏈、更高可靠性及更低成本。

至于BST35系列則具備TruePower高效能功率檢測(cè)器，可提高總輻射功率（TRP）效能達(dá)2dB，并可在實(shí)際工作環(huán)境中降低掉話率，及提高數(shù)據(jù)傳輸速率。BST3501是第一款將此功能帶入RF前端的晶片。該元件的效能指標(biāo)可在輸出功率、線性度、效率和雜訊上達(dá)到、甚至超越砷化鎵功率放大器IC。