新薄膜封裝的MEMS
[導(dǎo)讀]【導(dǎo)讀】Panasonic and imec日前發(fā)表了一項(xiàng)新的MEMS技術(shù)，他們使用一種特殊的SiGe（硅鍺化合物）薄膜封裝方式，研發(fā)出目前業(yè)界同時(shí)具備最高Q值與低電壓的MEMS震蕩器。
Panasonic and imec日前發(fā)表了一項(xiàng)新的MEMS技
【導(dǎo)讀】Panasonic and imec日前發(fā)表了一項(xiàng)新的MEMS技術(shù)，他們使用一種特殊的SiGe（硅鍺化合物）薄膜封裝方式，研發(fā)出目前業(yè)界同時(shí)具備最高Q值與低電壓的MEMS震蕩器。
Panasonic and imec日前發(fā)表了一項(xiàng)新的MEMS技術(shù)，他們使用一種特殊的SiGe（硅鍺化合物）薄膜封裝方式，研發(fā)出目前業(yè)界同時(shí)具備最高Q值與低電壓的MEMS振蕩器。
該振蕩器在真空封裝的薄膜內(nèi)，產(chǎn)生扭力震動(dòng)的模式，以達(dá)成高Q值的成就，并藉此完成低功秏的效果。而這項(xiàng)技術(shù)將可廣泛用在不統(tǒng)領(lǐng)域上，包含汽車電子與消費(fèi)性產(chǎn)品。
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