RFMD RFMD ® 宣布提供氮化鎵 ( G aN) 晶圓代工服務(wù)

 
    代工服務(wù)業(yè)務(wù)部門(mén)利用 RFMD 在化合物半導(dǎo)體技術(shù)及制造方面的行業(yè)領(lǐng)先地位，提供高可靠性、高性能、具有價(jià)格優(yōu)勢(shì)的 GaN 技術(shù) 

    日前，設(shè)計(jì)與制造高性能半導(dǎo)體元件的全球領(lǐng)導(dǎo)廠商 RF Micro Devices， Inc.宣
布，公司已成立一個(gè)氮化鎵 (GaN) 晶圓代工服務(wù)業(yè)務(wù)部門(mén)，針對(duì)多個(gè)射頻功率市場(chǎng)提供
高可靠性、高性能、具有價(jià)格優(yōu)勢(shì)的 GaN 半導(dǎo)體技術(shù)。RFMD GaN 代工服務(wù)業(yè)務(wù)部門(mén)利用公司在砷化鎵 (GaAs) 制造能力和周期時(shí)間方面的行業(yè)領(lǐng)先地位，以及一系列新的客戶服
務(wù)，推動(dòng)縮短產(chǎn)品上市時(shí)間，并盡量減少初始晶圓訂購(gòu)到最后交貨之間的時(shí)間。RFMD 是
GaA 化合物半導(dǎo)體行業(yè)領(lǐng)先制造商。RFMD 的 GaN 制造與其 GaAs 制造是可互換的，并直接受益于 RFMD 業(yè)內(nèi)領(lǐng)先的晶圓制造能力的規(guī)模和專(zhuān)業(yè)技術(shù)。 

    RFMD 多市場(chǎng)產(chǎn)品組總裁 Bob Van Buskirk 指出，“RFMD 的代工服務(wù)業(yè)務(wù)部門(mén)使GaN 代工客戶有機(jī)會(huì)利用 RFMD 業(yè)內(nèi)領(lǐng)先的化合物半導(dǎo)體技術(shù)及生產(chǎn)設(shè)備，及RFMD 規(guī)模制造的許多益處，包括可靠性、統(tǒng)一性、周期時(shí)間和質(zhì)量。RFMD GaN 是一項(xiàng)能改變射頻功率元件行業(yè)的突破性技術(shù)，因?yàn)樗哂谐錾木€性、帶寬和射頻功率密度。此外，RFMD GaN 是一項(xiàng)‘綠色’技術(shù)，可達(dá)到比以前更高的效率，因此只需較低功耗即可實(shí)現(xiàn)類(lèi)似性
能，或以類(lèi)似的功耗水平實(shí)現(xiàn)更佳性能?！?nbsp;

    RFMD 提供的 GaN 代工服務(wù)是業(yè)內(nèi)獨(dú)有的，因?yàn)?nbsp;RFMD 經(jīng)營(yíng)著業(yè)內(nèi)最大的 GaAs 制造
晶圓廠 (fab)，已為客戶提供了數(shù)十億高可靠性、高品質(zhì)的基于化合物半導(dǎo)體的射頻元
件。通過(guò)利用現(xiàn)有的高產(chǎn)量生產(chǎn)資產(chǎn)，RFMD 能為代工客戶提供具有可預(yù)測(cè)性、業(yè)內(nèi)領(lǐng)先的可靠性及更高統(tǒng)一性的 GaN 技術(shù)。RFMD 提供業(yè)內(nèi)領(lǐng)先的周期時(shí)間，估計(jì)其 GaN 通過(guò)晶圓制造工廠的周期時(shí)間通常比其競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手快 30-40%。 

    此外，通過(guò)利用 RFMD 對(duì)半導(dǎo)體工藝模型的深入了解準(zhǔn)確預(yù)測(cè)產(chǎn)品性能，RFMD 的代
工服務(wù)業(yè)務(wù)部門(mén)能通過(guò)減少滿足客戶規(guī)格所需的試驗(yàn)?zāi)Ｐ蛿?shù)，降低客戶開(kāi)發(fā)成本，有望受
益于 RFMD GaN 的客戶應(yīng)用包括商業(yè)和國(guó)防功率應(yīng)用方面，其涵蓋無(wú)線基礎(chǔ)設(shè)施、有線電
視線路放大器、寬帶通信、功率放大器和各種防御雷達(dá)系統(tǒng)。 

    另外，RFMD 的代工服務(wù)客戶可獲得成熟的代工服務(wù)支持團(tuán)隊(duì)的服務(wù)，他們具備關(guān)于
代工客戶期望和要求的第一手知識(shí)。RFMD 的代工服務(wù)支持團(tuán)隊(duì)結(jié)合了作為代工服務(wù)客戶
及代工服務(wù)供應(yīng)商的 50 年代工服務(wù)經(jīng)驗(yàn)。此外，RFMD 的代工服務(wù)支持團(tuán)隊(duì)已經(jīng)實(shí)施了
一整套服務(wù)，可最大限度地減少?gòu)挠唵屋斎氲娇蛻艚桓兜目倳r(shí)間。這些服務(wù)包括能實(shí)現(xiàn)高
概率初步成功的模擬模型，及能實(shí)現(xiàn)較少或無(wú)排隊(duì)時(shí)間的業(yè)務(wù)流程。 

    RFMD GaN 是一種新一代化合物半導(dǎo)體技術(shù)，具有比其他競(jìng)爭(zhēng)技術(shù)更高的功率密度和
擊穿電壓，非常適合高性能功率器件。RFMD GaN 的典型工作規(guī)格參數(shù)包括工作電壓為 48
（或 65）伏，功率密度為 6 至 8 瓦/毫米，F(xiàn)T 為 11 GHz，F(xiàn) 最大值為 18 GHz，在
150°C T 通道工作時(shí)的平均無(wú)故障時(shí)間大于 108 小時(shí)。